存储容量：32K位 (4K x 8)
　　工作电压：1.7V 至 5.5V
　　通信接口：I2C
　　最大时钟频率：400kHz（标准模式），1MHz（高速模式）
　　写入周期：10ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SOIC、TSSOP
　　数据保持时间：超过40年
　　擦写次数：1百万次以上

US3DA-TR 是一款高性能、低功耗的串行EEPROM存储器芯片，采用了先进的CMOS技术，能够在1.7V至5.5V的宽电压范围内稳定运行，使其适用于多种电源环境。该芯片支持I2C总线通信协议，具备标准模式（400kHz）和高速模式（1MHz）两种数据传输速率，适用于对数据传输速度有较高要求的应用场景。
　　     US3DA-TR 的存储容量为4K字节，分为多个页，每页大小为16字节，支持页写入和随机读取操作，提高了数据存取的效率。该芯片的写入周期时间较短，典型值为10ms，确保了快速的数据写入能力，同时支持硬件写保护功能，用户可通过引脚配置防止意外写入，提高了数据的安全性。
　　     此外，US3DA-TR 具备超过100万次的擦写寿命和40年以上的数据保持能力，适合长期存储关键数据。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和汽车级应用场景。芯片提供8引脚SOIC和TSSOP封装，便于在PCB布局中使用，并具备良好的抗干扰能力。

US3DA-TR 主要应用于需要非易失性存储器来保存配置参数、校准数据或用户设置的场景。常见应用包括工业控制系统中的参数存储、消费类电子产品中的用户配置信息、通信设备中的序列号和校准数据、汽车电子系统中的故障代码记录和配置信息等。此外，该芯片还可用于智能电表、医疗设备、安防系统和嵌入式控制系统等对数据存储可靠性要求较高的领域。

24LC32A-I/P、M24C32-WMN6T、AT24C32AN-PU