时间：2025/8/24 11:41:01
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US3BA-TR 是一款由台湾友顺科技（UTC）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换器、马达控制、电源管理及负载开关等应用。该器件采用SOP-8封装，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适合在中高功率应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
US3BA-TR具有低导通电阻的特性，使其在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该器件的高耐压能力（VDS=30V）和良好的热稳定性，使其适用于多种电源管理和功率开关应用。
其栅极驱动电压范围较宽（可支持10V或更高），确保了良好的导通性能，同时具备较强的抗过载能力。
采用SOP-8封装，具备较好的散热性能，适合紧凑型电路设计。
内置的ESD保护结构增强了器件在操作和装配过程中的抗静电能力，提高了产品可靠性。
主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、马达驱动器、负载开关以及各类电源管理模块中。
由于其低导通电阻和高电流能力，常用于便携式电子设备、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备和LED照明驱动电路等场景。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, IPD65R900C6
