时间：2025/5/20 14:01:17
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US1M-TP 是一种单通道高压 MOSFET 驱动光耦合器，具有高隔离电压和快速响应时间的特点。该器件广泛应用于需要高可靠性和电气隔离的场景，例如开关电源、工业控制设备以及电机驱动电路等。它通过光信号实现输入和输出之间的电气隔离，从而有效避免噪声干扰并保护敏感电路。
US1M-TP 的内部结构包括一个 GaAs 发光二极管（LED）和一个光电探测器，二者之间保持高度绝缘。当输入端施加合适的电流时，LED 会发光并激活光电探测器，从而触发输出级的动作。
集电极-发射极击穿电压：70V
工作温度范围：-40℃ 至 +110℃
输入LED正向电流：10mA至50mA
电流传输比（CTR）：50%至300%
隔离电压：2500Vrms
存储温度范围：-40℃ 至 +125℃
传播延迟时间：最大4μs
上升时间：1.5μs
下降时间：1.5μs
1. 高隔离电压设计，确保在恶劣环境下的可靠性。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 宽广的工作温度范围，适应多种极端条件。
4. 较高的电流传输比（CTR），保证了稳定的信号传递性能。
5. 小型化封装，便于集成到紧凑型电路中。
6. 抗电磁干扰能力强，特别适合工业级应用需求。
US1M-TP 主要用于以下领域：
1. 开关电源中的栅极驱动隔离。
2. 工业自动化控制系统中的信号隔离。
3. 变频器和逆变器中的功率级驱动。
4. 电机控制器中的隔离反馈电路。
5. 医疗设备中的安全隔离设计。
6. 数据通信接口的电气隔离部分。
US1H-TP, US1L-TP
