最大重复峰值反向电压：100V
　　最大平均整流电流：1A
　　正向压降（@1A）：1.5V（最大）
　　反向漏电流（@100V）：5uA（最大）
　　恢复时间（trr）：35ns（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）

US1G-TR是一款具有超快恢复特性的二极管，其恢复时间（trr）仅为35ns，能够显著减少开关损耗，提高电路的效率。该器件的正向压降较低，在1A电流下最大为1.5V，有助于降低功耗和提高能效。此外，US1G-TR具有较高的耐压能力，最大重复峰值反向电压为100V，适用于多种中高电压应用场合。
　　该二极管的反向漏电流非常小，最大仅为5uA，这有助于减少静态功耗并提高电路的稳定性。其SMA封装设计不仅节省空间，还便于散热，适合在高密度PCB设计中使用。US1G-TR的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级环境中使用。
　　该器件还具有优异的抗浪涌电流能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不会损坏。这使得US1G-TR在电源适配器、充电器、DC/DC转换器以及AC/DC电源模块中表现出色。

US1G-TR广泛应用于各类电源转换设备，如开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC适配器、电池充电器等。由于其超快恢复特性和低正向压降，该器件特别适合用于高频开关电路中，以提高系统的整体效率。此外，US1G-TR也可用于逆变器、UPS（不间断电源）、LED驱动电路以及各种整流电路中。
　　在工业自动化设备、通信电源、消费类电子产品以及汽车电子系统中，US1G-TR都能发挥重要作用。其紧凑的SMA封装设计也使其成为便携式电子产品和高密度电路板设计的理想选择。

常见的替代型号包括US1J-TR、MUR160、UF1001、HER107等。这些型号在电气特性和封装形式上与US1G-TR相似，可根据具体应用需求进行选择。