US1DF T/R 时间：2025/8/14 19:27:01 阅读：3

US1DF T/R 是一款由 United Silicon（United Silicon Inc.）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能、高频率的电源转换和功率管理应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。US1DF T/R 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于提高系统效率并减少热量产生。该器件采用 SOT-23 封装，适合在紧凑空间中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：1.0 A
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V：0.55 Ω；@2.5V：0.75 Ω
　　栅极电荷（Qg）：9.5 nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

US1DF T/R 具备多项优异特性，适用于各种电源管理和功率转换应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性在 4.5V 和 2.5V 栅极电压下分别达到 0.55 Ω 和 0.75 Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，实现了高密度的电流承载能力，并具有良好的热稳定性。
　　此外，US1DF T/R 的栅极电荷（Qg）仅为 9.5 nC，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频应用。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20 V 的栅源电压，具备较强的抗过压能力，提升了器件在复杂电路环境中的稳定性。
　　其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，适合在空间受限的 PCB 设计中使用，还具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　最后，US1DF T/R 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在广泛的环境温度下可靠运行，适用于工业级和消费类电子产品。