时间：2025/10/7 13:12:26
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URZ1H2R2MDD是一款由松下（Panasonic）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高性能电容器产品线的一部分。该器件主要设计用于需要高稳定性和低等效串联电阻（ESR）的电源电路中，特别适用于去耦、滤波和储能等应用。URZ1H2R2MDD采用小型表面贴装封装，尺寸为0603（公制1608），适合在空间受限的高密度印刷电路板（PCB）上使用。该电容器的标称电容值为2.2μF，额定电压为50V DC，具有较高的电容体积比，能够在保证性能的同时减少占用的PCB面积。该型号采用X5R温度特性介质材料，保证了在-55°C至+85°C的温度范围内，电容值变化不超过±15%，适合在较宽的环境温度条件下稳定工作。URZ1H2R2MDD符合RoHS指令要求，无铅且符合现代环保标准，适用于自动化贴片生产工艺，具备良好的焊接可靠性和长期稳定性。由于其优异的电气性能和机械强度，该电容器广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子等领域。
电容值：2.2μF
额定电压：50V DC
电容容差：±20%
温度特性：X5R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
尺寸（英寸）：0603（1608公制）
长度：1.6mm ±0.2mm
宽度：0.8mm ±0.15mm
厚度：1.05mm max
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
损耗角正切（tanδ）：≤3.5%
绝缘电阻：≥500MΩ或1000μF·V，取较大者
耐电压：1.5倍额定电压，持续1分钟无击穿或闪络
端电极结构：Ni/Sn（三层电极结构，确保良好可焊性和抗热冲击性）
URZ1H2R2MDD多层陶瓷电容器的核心优势在于其高电容密度与小型化设计的结合。在0603这一紧凑封装内实现2.2μF的电容值，体现了先进的陶瓷叠层制造工艺。该器件采用X5R介电材料，这种材料在较宽的温度范围内表现出稳定的电容性能，特别是在-55°C到+85°C的工作区间内，电容值漂移控制在±15%以内，远优于Y5V等普通材料，因此适用于对电容稳定性有较高要求的应用场景。此外，X5R材料还具有较低的电压系数，即在接近额定电压工作时，电容值不会出现显著下降，这对于电源去耦应用尤为重要。
该电容器具备极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频环境下仍能保持优异的滤波性能。在开关电源输出端或数字IC的电源引脚旁使用时，能够有效抑制电压纹波和瞬态噪声，提升系统稳定性。其三层端电极结构（Inner Electrode/Ni Barrier/Sn Finish）不仅增强了焊接可靠性，还提高了抗热循环和机械应力的能力，避免因温度变化导致的焊点开裂或内部陶瓷裂纹。这种结构特别适合回流焊工艺，并兼容无铅焊接流程。
URZ1H2R2MDD还具有出色的长期稳定性，电容值随时间的老化速率较低（X5R材料典型老化率为每十倍时间周期2.5%），确保产品在整个生命周期内保持性能一致。此外，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），可用于对可靠性要求较高的工业和车载环境。其高绝缘电阻和耐电压能力也提升了安全裕度，防止漏电流过大导致系统功耗增加或误动作。总体而言，URZ1H2R2MDD是一款集高容量、小尺寸、高稳定性和高可靠性于一体的先进MLCC，满足现代电子设备对高性能被动元件的需求。
URZ1H2R2MDD多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要高效电源管理与信号完整性的电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中，常用于处理器、GPU或内存模块的电源去耦网络，以降低电源噪声并稳定供电电压。在便携式设备中，其小尺寸和高电容密度优势尤为突出，有助于节省宝贵的PCB空间。
在工业电子领域，该电容器可用于PLC控制器、传感器接口电路、DC-DC转换器输出滤波以及FPGA或微控制器的电源轨旁路。其宽温特性和高可靠性使其能够在恶劣工业环境中长期稳定运行。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，URZ1H2R2MDD可用于射频前端电源滤波或数字信号处理单元的退耦，确保信号完整性并抑制电磁干扰（EMI）。
此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器供电电路等非动力总成应用场景。尽管并非所有0603 MLCC都通过AEC-Q200认证，但若该型号具备车规级资质，则可在高温、振动和湿度变化等复杂工况下保持性能稳定。同时，它也可用于医疗电子设备、测试仪器和电源适配器等对元件质量和长期稳定性要求较高的领域。总之，URZ1H2R2MDD凭借其优良的电气特性与物理性能，成为现代电子设计中不可或缺的关键被动元件之一。
GRM188R71H2R2MA01D
CL21B224MPQNNNE
C1608X5R1H225K
