电容值：220μF
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±20%
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C to +125°C)
　　封装尺寸：7343 (2112 公制)
　　长度：2.1mm ±0.2mm
　　宽度：1.2mm ±0.2mm
　　高度：1.2mm Max
　　端接类型：金属端电极（Ni/Sn镀层）
　　ESR（等效串联电阻）：典型值约 3mΩ ~ 8mΩ（频率依赖）
　　纹波电流承受能力：依据具体应用条件而定
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　产品系列：URZ
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200

URZ0J221MDD作为一款高性能多层陶瓷电容器，其最显著的特性之一是在较小的物理尺寸下实现了高达220μF的电容值，这得益于KEMET先进的叠层制造工艺和高介电常数材料的应用。X7R介电材料确保了器件在宽温度范围内（-55°C至+125°C）具有良好的电容稳定性，电容变化率控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V类材料。这种稳定性使得该电容器能够在温度剧烈变化的环境中可靠运行，例如在汽车引擎舱或工业控制设备中。
　　该器件对直流偏压的敏感度相对较低，尽管所有高容值MLCC都会因直流偏压而出现电容下降，但URZ系列通过优化内部电极结构和介质层设计，有效提升了在额定电压下的电容保持率。例如，在施加6.3V DC偏压时，仍可维持超过标称值50%以上的有效电容，这对于电源滤波和储能应用至关重要。
　　URZ0J221MDD具备极低的等效串联电阻（ESR），通常在几毫欧级别，使其在高频开关电源中表现出色，能够有效抑制噪声并减少发热。同时，低ESL（等效串联电感）特性增强了其高频去耦能力，适用于现代高速数字电路中的局部电源去耦。
　　该电容器采用全屏蔽金属端头结构，提供优异的抗湿性和耐焊接热冲击性能，支持回流焊工艺，并能承受多次热循环而不影响可靠性。其坚固的结构设计也提高了抗机械应力的能力，减少因PCB弯曲或振动导致的裂纹风险。
　　此外，URZ0J221MDD通过AEC-Q200认证，表明其满足汽车级元器件的严苛可靠性要求，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元等场景。相比传统的电解电容或钽电容，它无极性、寿命更长、无需考虑老化问题，且不会发生漏液或爆炸等失效模式，极大提升了系统的长期稳定性与安全性。

URZ0J221MDD广泛应用于各类需要高电容密度和良好温度稳定性的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常被用作处理器核心电源的去耦电容，配合其他小容量MLCC组成复合滤波网络，以应对快速变化的负载电流需求，确保供电电压稳定。在DC-DC降压或升压转换器的输入和输出端，URZ0J221MDD凭借其低ESR和高纹波电流承受能力，能够有效平滑电压波动，提升电源转换效率。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载导航系统、摄像头模块、雷达单元和车内通信模块等，特别是在那些空间受限但对可靠性要求极高的场合。由于其通过AEC-Q200认证，工程师可以放心将其部署于发动机控制单元（ECU）、电池管理系统（BMS）或LED照明驱动电路中。
　　工业自动化设备、医疗仪器和网络通信设备也大量采用此类高容值MLCC，用于电源轨滤波、信号耦合和储能功能。例如，在FPGA或ASIC的供电网络中，URZ0J221MDD可作为Bulk电容，补充POSCAP或铝电解电容的功能，实现更紧凑的设计。
　　此外，由于其无磁性、无极性的特点，该器件还适用于精密测量仪器和射频模块中，避免引入额外的电磁干扰或极性错误风险。随着电子产品向轻薄化、多功能化发展，URZ0J221MDD这类高容值小型化MLCC正逐步替代传统电解电容，成为现代电源管理设计的关键组成部分。

GRM72A7X7R1A227ME51
　　CLT0J227M-Z-E
　　EMK212B7X7R1A227ME-T