类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向连续电流（IF）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：800mA
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 10mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100nA @ 25V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：450°C/W
　　电容（CT）：10pF @ 4V, 1MHz

URY2F330MRD的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF），典型值仅为500mV左右，在低电压、小电流应用场景下能有效减少功率损耗，提升整体能效。该特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。同时，由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管具有极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这使得它在高频整流、开关电源和高速信号检测电路中表现出色，避免了因反向恢复引起的能量浪费和电磁干扰问题。
　　该器件内部集成两个独立的肖特基二极管并以共阴极方式连接，这种结构特别适用于双路电源选择电路或双通道信号钳位应用。例如，在主备电源自动切换系统中，两个二极管分别连接到不同的电源输入端，通过“或”逻辑实现无缝电源切换，确保系统持续供电。共阴极设计简化了PCB布线，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性和集成度。此外，每个二极管额定承受300mA的连续正向电流，足以满足大多数低功耗数字和模拟电路的需求。
　　URY2F330MRD采用SOT-23小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），非常适合高密度印刷电路板设计，尤其是在移动设备和微型传感器模块中。该封装具有良好的热传导性能，并可通过优化PCB焊盘设计进一步改善散热能力。其工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制等对环境耐受性要求较高的领域。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性与一致性。

URY2F330MRD广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，常用于电池充电管理电路中的防倒灌二极管，防止电池向充电器反向放电，同时利用其低VF特性减少待机功耗。在多电源系统中，例如USB供电与电池供电并存的设备，该器件可用于构建电源路径管理电路，实现主辅电源之间的平滑切换，保障系统不断电运行。
　　在射频和无线通信模块中，URY2F330MRD可用于信号检波、包络检测和限幅保护电路，得益于其快速响应能力和低结电容（约10pF），能够准确捕捉高频信号的变化而不引入明显失真。此外，在传感器接口电路中，该器件可用于输入信号的钳位保护，防止过压或反接损坏后级精密放大器或ADC转换器。
　　工业自动化设备中，该二极管阵列可用于隔离不同电平的逻辑信号，或在I/O端口增加ESD保护和瞬态抑制功能。其高反向耐压（30V）使其适用于24V以下的工业控制总线接口防护。在汽车电子应用中，尽管并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键性的车载信息娱乐系统或车内照明控制电路中也可使用，前提是满足实际工作环境的温度与应力要求。总之，该器件凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

MBRS330T1G
　　RB751S40
　　BAT54C
　　SMS330AM