时间：2025/10/7 3:05:51
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URS2E101MHD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装硅势垒肖特基二极管阵列，广泛应用于高速开关和功率管理电路中。该器件采用先进的平面技术制造，具备优异的热稳定性和可靠性，适用于多种电子设备中的整流、续流和反向电压保护功能。URS2E101MHD属于双二极管配置，内部集成了两个独立的肖特基二极管，共享一个公共端或分别引出，具体连接方式需参考其数据手册中的引脚定义。由于采用了肖特基势垒结构，该器件具有较低的正向导通压降（VF），通常在0.3V至0.5V之间，显著低于传统PN结二极管，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，肖特基二极管的快速恢复特性使其非常适合高频应用环境，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及各种便携式电子产品中的电源管理模块。
该器件封装在小型化的表面贴装SOT-23封装中，有助于节省PCB空间，适合高密度组装需求。工作温度范围宽泛，一般可在-55°C至+150°C的环境中稳定运行，确保在严苛工业与汽车级应用场景下的长期可靠性。URS2E101MHD符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，适用于对环境和安全要求较高的产品设计。其高电流承载能力、低漏电流和良好的瞬态响应性能，使它成为现代高效能电源系统中的理想选择之一。
类型：双肖特基二极管
封装/外壳：SOT-23
配置：双二极管
最大重复反向电压（VRRM）：200V
最大直流阻断电压（VR）：200V
峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25A（8.3ms单半波）
平均整流电流（IO）：200mA（每二极管）
正向压降（VF）：典型值0.45V @ 100mA
最大反向漏电流（IR）：典型值0.1μA @ 25°C, 最大100μA @ 125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：约450°C/W
安装类型：表面贴装
URS2E101MHD的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体接触形成整流效应，避免了传统PN结中存在的少数载流子储存效应，因此具备极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间（trr）。这一特性使得该器件在高频开关电路中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升整体系统效率。同时，低正向压降（VF）意味着在相同电流下功耗更低，尤其在电池供电设备中可显著延长续航时间。例如，在100mA工作电流下，VF仅为0.45V左右，相较于普通硅二极管的0.7V以上有明显优势。
另一个重要特性是其出色的热稳定性与可靠性。得益于Vishay成熟的制造工艺和材料选择，URS2E101MHD能够在高达+150°C的结温下持续工作，满足严酷工业环境和车载电子系统的使用需求。器件经过严格的老化测试和质量控制流程，确保批次一致性与长期稳定性。此外，SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，配合合理的PCB布局可进一步降低热阻，提高功率处理能力。
电气隔离方面，双二极管设计提供了灵活的应用配置选项，可用于全波整流、电压钳位、输入保护等多种拓扑结构。每个二极管可独立工作，支持并联以提升电流容量或串联以提高耐压等级。反向漏电流控制良好，在高温条件下仍保持较低水平，避免因漏电增加而导致系统功耗上升或误动作。此外，该器件具有较强的抗静电放电（ESD）能力和一定的浪涌承受能力，增强了系统鲁棒性。综合来看，URS2E101MHD凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多电源与信号处理电路中的优选方案。
URS2E101MHD广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池充放电管理电路中的防倒灌二极管或DC-DC转换器中的续流路径，利用其低VF特性减少发热并提升能效。在电源适配器和AC-DC/DC-DC开关电源模块中，该器件作为输出整流或同步整流辅助二极管使用，有助于改善轻载效率并降低纹波噪声。
在工业控制领域，URS2E101MHD可用于PLC输入接口的反向电压保护、继电器线圈的续流回路以及传感器信号调理电路中的钳位元件，防止感性负载产生的反电动势损坏敏感IC。在通信设备中，该器件可用于高速信号线路的静电泄放路径或瞬态电压抑制网络，保障数据传输稳定性。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动电源，因其宽温域工作能力和高可靠性符合AEC-Q101等车规标准。太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动板等功率电子装置中也可采用该型号进行能量回馈或电压箝位功能。总之，凡是对效率、响应速度和空间布局有较高要求的场合，URS2E101MHD均能提供可靠的技术支持。
MBRS2200T3G
RB751S200
BAS70-04W
