型号：URS2C221MRD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　二极管配置：单个
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：200V
　　最大直流阻断电压 VR：200V
　　平均整流电流 IO：2A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：60A
　　正向电压 VF（典型值）：0.875V @ 2A, 150°C
　　最大正向电压 VF：1.0V @ 2A, 25°C
　　反向漏电流 IR：0.5μA @ 25°C, 200V
　　最大反向漏电流 IR：500μA @ 150°C, 200V
　　反向恢复时间 trr：≤30ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻 Junction-to-Ambient RθJA：60°C/W
　　安装方式：表面贴装

URS2C221MRD肖特基二极管的核心优势在于其卓越的电学性能与高可靠性结合。首先，该器件采用肖特基势垒结构，使得其正向导通压降显著低于传统PN结二极管。在2A电流下，其正向电压仅为1.0V（最大值），典型值在高温条件下可低至0.875V。这种低VF特性极大地降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率，尤其适用于电池供电设备和高密度电源模块。
　　其次，URS2C221MRD具备极快的开关速度，反向恢复时间trr不超过30ns。这意味着在高频开关操作中，如DC-DC变换器或开关模式电源（SMPS）中，该二极管几乎不会产生明显的反向恢复电荷，从而减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于提升系统效率、降低温升以及简化滤波设计至关重要。
　　再者，该器件能够在高达+150°C的结温下持续工作，展现出优异的热稳定性。其内部结构经过优化，能够在高温环境下保持稳定的电气参数，避免因热失控导致的失效。同时，在-55°C的低温条件下也能正常工作，适用于极端环境下的工业控制、汽车电子和户外通信设备。
　　URS2C221MRD还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达60A的峰值非重复浪涌电流（IFSM），增强了其在电网波动或负载突变情况下的鲁棒性。此外，其反向漏电流在常温下仅为0.5μA，在高温150°C时也控制在500μA以内，表明其在不同温度条件下均能维持较低的静态功耗，有利于延长待机时间。
　　封装方面，SMA（DO-214AC）是一种成熟且广泛应用的表面贴装封装，支持自动化贴片工艺，提高了生产效率。其紧凑的尺寸有助于节省PCB空间，适应小型化设计趋势。综合来看，URS2C221MRD在效率、速度、可靠性和封装兼容性方面实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

URS2C221MRD广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的电源系统中。其主要应用场景包括但不限于开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和推挽拓扑结构中作为输出整流二极管使用，能够有效降低导通损耗并提高整体能效。在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是升降压（Buck-Boost）电路，该器件都能提供快速响应和低损耗的整流功能，特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、路由器等便携式电子设备的电源管理模块。
　　此外，URS2C221MRD常用于逆变器电路中，例如太阳能逆变器和UPS不间断电源系统，作为续流或钳位二极管，吸收感性负载产生的反向电动势，保护主开关器件免受电压尖峰损害。在这些应用中，其200V的反向耐压能力和60A的浪涌电流承受能力显得尤为重要。
　　该器件还可用于电池充电管理系统中的极性反接保护电路，防止错误连接导致的设备损坏。由于其低正向压降和小封装尺寸，非常适合集成在紧凑型电池包或充电板中。在LED驱动电源中，URS2C221MRD可用于次级侧整流，帮助实现高光效和长寿命。
　　工业自动化设备、医疗仪器、通信基站电源等对可靠性要求较高的领域也是其典型应用场所。其宽温度工作范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。此外，在消费类电子产品如智能手机充电器、USB PD适配器中，URS2C221MRD也常被用于同步整流辅助或输出整流环节，以提升转换效率并满足能效标准。

URS2K200MHE3/54
　　MBR2U200T1G
　　BAS221-02W