时间：2025/10/6 20:38:53
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URS1H3R3MDD是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装超快恢复整流二极管，采用SMC（DO-277）封装。该器件专为高效率、高频开关电源应用而设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，能够有效减少开关损耗并提高系统整体效率。URS1H3R3MDD的命名遵循Vishay的标准命名规则，其中‘URS’代表超快恢复二极管系列，‘1H’表示反向重复电压为50V，‘3R3’对应3.3A的平均整流电流，‘MDD’则标识其封装形式与特殊性能等级。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、逆变器、续流与箝位电路等电力电子场合。由于其优异的热稳定性和可靠性，URS1H3R3MDD适用于对空间和能效要求较高的紧凑型电源设计中。
该器件在制造过程中符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其SMC封装支持自动化贴片生产，提高了PCB组装效率。此外，URS1H3R3MDD经过优化设计，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合工业级温度范围内的长期运行。
最大重复反向电压（VRRM）：50 V
最大直流阻断电压（VR）：50 V
平均整流电流（IO）：3.3 A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50 A
正向电压降（VF）：典型值0.875 V（在3.3A, TJ=25°C）
最大反向漏电流（IR）：200 μA（在50V, TJ=25°C）
反向恢复时间（trr）：典型值25 ns
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
热阻（RθJA）：约40 K/W
封装类型：SMC (DO-277)
URS1H3R3MDD的核心优势在于其出色的开关特性和高效的能量转换能力。该二极管的反向恢复时间（trr）典型值仅为25ns，属于超快恢复级别，能够在高频开关条件下显著降低开关损耗，避免因反向恢复电荷积累而导致的电压尖峰和电磁干扰问题。这对于提升开关电源的整体效率和稳定性至关重要。同时，其低正向压降特性——在3.3A电流下典型值为0.875V，有助于减少导通期间的功率损耗，从而降低温升，延长器件寿命。
该器件采用先进的平面工艺技术制造，确保了良好的热稳定性和机械强度。SMC封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有优良的散热性能，通过优化的引脚设计增强了与PCB之间的热传导路径。这种封装方式还提升了抗振动和冲击的能力，使其更适合在严苛工业环境中长期运行。
URS1H3R3MDD具备较强的浪涌电流承受能力，最大非重复峰值浪涌电流可达50A，这使得它在面对瞬态负载变化或启动冲击时表现出更高的鲁棒性。此外，其反向漏电流控制在200μA以内（在50V偏置下），即使在高温条件下也能维持较低水平，减少了静态功耗并提高了系统的可靠性。
该二极管的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种极端环境条件下的应用需求，包括高温工业设备和低温户外装置。结合其高可靠性与长寿命设计，URS1H3R3MDD成为众多高性能电源拓扑结构中的理想选择，尤其适用于需要持续稳定运行的关键系统。
URS1H3R3MDD被广泛用于各类高效率电源转换系统中。其主要应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是在低电压大电流输出的AC-DC适配器和充电器中作为次级侧整流元件；DC-DC转换器，如同步降压、升压及SEPIC拓扑结构中的续流或输出整流二极管；光伏逆变器中的辅助电源部分；UPS不间断电源和电池管理系统中的保护与隔离电路；以及电机驱动器和变频器中的箝位与自由轮二极管功能。
由于其快速恢复特性和低正向压降，该器件特别适合用于同步整流无法实现或成本过高的场合，作为替代方案提供高效且经济的解决方案。此外，在便携式电子设备、通信电源模块、LED驱动电源和工业控制电源中，URS1H3R3MDD也因其小型化封装和高性能表现而受到青睐。其高可靠性与环保特性进一步拓展了其在汽车电子、医疗设备和轨道交通等对安全性要求极高的领域的应用潜力。
URS1H3R3ME
URS1H3R3MD
STTH3R05U
ES3D-T3
