型号：URS1H2R2MDD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　二极管类型：肖特基二极管阵列（双共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　平均整流电流（IO）：2x 1A
　　峰值脉冲电流（IFSM）：8A
　　正向电压（VF）：典型值0.43V @ 1A, 最大值0.55V @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大20μA @ 20V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　导通电阻（典型）：—
　　电容（典型）：约50pF @ 4V

URS1H2R2MDD的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速的反向恢复时间，从而显著降低了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件的两个独立但共阴极连接的肖特基二极管可以并联使用以提高电流承载能力，也可分别用于不同的电路路径中实现灵活设计。其低VF特性使其非常适合于低压大电流的应用环境，例如3.3V或5V供电系统的整流环节，能够有效减少发热问题，提升能效比。
　　器件的PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2mm x 1.25mm x 0.95mm），而且具备优异的散热性能，通过底部暴露焊盘将热量高效传导至PCB，从而增强热稳定性，延长使用寿命。这种封装结构也便于自动化贴片生产，适合大规模SMT工艺流程。
　　URS1H2R2MDD具有良好的动态响应能力，在高频开关条件下仍能维持稳定的电气特性，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。其反向恢复时间几乎可忽略不计（近似为零），避免了传统PN结二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷和相关电磁干扰（EMI）问题，有助于简化滤波设计并提升系统EMC性能。
　　该器件还表现出较强的抗浪涌能力，可在短时间内承受高达8A的峰值电流冲击，适用于存在瞬态过流风险的工况。同时，在高温工作条件下，其漏电流增长缓慢，确保了在恶劣环境下的长期可靠性。所有材料均符合IEC 61249-2-21标准中的无卤要求，并通过AEC-Q101车规级认证的部分测试项目，显示出其在工业级与汽车电子应用中的潜力。

URS1H2R2MDD因其高效的整流性能和小型化封装，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电池充放电管理电路中的防倒灌二极管或同步整流单元，利用其低正向压降来降低能量损耗，延长续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用作续流二极管或输出整流元件，尤其是在非隔离式Buck/Boost拓扑中，能够显著提升轻载和满载条件下的转换效率。
　　在电源适配器、USB PD快充模块以及多路输出电源系统中，URS1H2R2MDD的双共阴极结构允许两个通道独立工作，分别服务于不同电压轨的整流需求，简化了外围电路设计并节省布板空间。此外，它也可用于逆变器电路、电机驱动器的箝位保护、LED驱动电源的续流路径以及各类AC-DC辅助电源的次级侧整流。
　　工业控制领域中，该器件适用于PLC模块、传感器供电单元和嵌入式控制器的电源部分；在通信设备中，可用于PoE（以太网供电）接收端的整流与保护电路。由于其具备一定的抗瞬态能力，还可作为ESD保护或电压箝位元件使用。在汽车电子系统中，尽管未明确标注为完全车规级，但在非关键性的车载电源管理子系统中也有潜在应用价值，例如车载信息娱乐系统或车内照明控制模块。

BAS40-04W, PMEG2010EA, SS12