类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　工作温度：-65℃ ~ +150℃
　　最大反向重复电压 VRRM：50V
　　最大直流阻断电压 VR：50V
　　最大正向平均整流电流 IF(AV)：1A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
　　最大正向电压降 VF @ IF=1A：0.58V
　　最大反向漏电流 IR @ VR=50V, Ta=25℃：0.5mA
　　反向恢复时间 trr：典型值 4ns
　　封装/外壳：DO-214AC（SMC）
　　安装类型：表面贴装
　　极性：中心阴极
　　湿度敏感等级：1级（MSL1）
　　符合RoHS标准：是

URS1H0R1MDD作为一款高性能的表面贴装肖特基势垒二极管，具备多项关键特性以满足现代电子系统对效率、尺寸和可靠性的严苛要求。首先，其采用的肖特基结构实现了较低的正向导通压降，典型值在1A电流下仅为0.58V，显著低于传统PN结二极管，从而有效降低了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。这一特性在电池供电设备和节能型开关电源中尤为重要。
　　其次，该器件具有极快的开关速度，反向恢复时间trr典型值仅为4纳秒，几乎无存储电荷，因此在高频开关应用中可大幅减少开关损耗，并抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。这对于DC-DC转换器、同步整流替代以及高频逆变器等应用场景至关重要。
　　再者，URS1H0R1MDD采用DO-214AC（SMC）封装，具有较大的焊盘面积和良好的热传导路径，可在1A连续工作电流下保持较低的温升，确保长期运行的可靠性。该封装还具备优异的机械强度和抗热冲击能力，适合回流焊工艺，并兼容自动化贴片生产线，有利于提高制造效率和产品一致性。
　　此外，该器件工作温度范围宽达-65℃至+150℃，可在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级电子设备。其低反向漏电流（最大0.5mA@50V）在高温环境下仍保持良好表现，减少了待机功耗和热失控风险。整体设计兼顾了电气性能、热性能与制造兼容性，使其成为多种电源管理应用中的优选方案。

URS1H0R1MDD广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出拓扑中，利用其低正向压降优势提升转换效率。它也常用于DC-DC转换器中作为续流或箝位二极管，配合电感实现能量回馈和电压稳定。在逆变器和电机驱动电路中，该器件可用于防止感应电动势反冲损坏主开关元件，起到保护作用。
　　此外，URS1H0R1MDD适用于电池充电管理电路、极性反接保护电路以及隔离二极管应用，在多电源系统中防止电流倒灌。其高频响应特性使其适合用于高频整流场合，如射频电源、感应加热控制板等。在消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源中也有广泛应用。
　　由于其符合RoHS且具备高可靠性，该器件也被广泛用于工业控制设备、通信基础设施（如基站电源模块）、汽车电子（如车载充电系统、辅助电源）等领域。在空间受限的设计中，其SMC封装提供了良好的功率密度，是替代传统轴向或较大表贴二极管的理想选择。

MBR150