最大反向电压（VRM）：1200V
　　平均整流电流（IF(AV)）：12A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大反向漏电流（IR）：@ 125°C 时 100μA
　　正向压降（VF）：@ 25°C 时 1.55V（典型值），@ 125°C 时 1.75V（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-3L
　　引脚数：3
　　热阻（RthJC）：约 1.2°C/W

URF1D48QB-100WHR3 采用碳化硅材料技术，具备优异的热性能和高频开关能力，能够在高温和高压环境下稳定工作。该器件的肖特基势垒结构消除了传统硅二极管中的反向恢复电荷（Qrr），从而显著降低了开关损耗，并减少了电磁干扰（EMI）。其双共源封装设计有助于提高封装的热管理和电流承载能力，适合用于高功率密度的电源系统。此外，URF1D48QB-100WHR3 具有较高的抗浪涌能力，能够在短时过载条件下保持稳定运行，适用于高可靠性和高效率的电力电子系统。
　　在电气特性方面，URF1D48QB-100WHR3 的最大反向电压为 1200V，能够承受高压应用中的应力，同时其正向压降较低，能够在高温下保持良好的导通性能，从而提高系统整体效率。该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高功率运行时仍能保持较低的结温，延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，其快速开关特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及AC-DC电源模块等应用场合。

URF1D48QB-100WHR3 主要应用于高效率电源系统，如服务器电源、工业电源、通信设备电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、储能系统、高频DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路等。其优异的高频性能和低导通损耗使其成为替代传统硅快恢复二极管（FRD）的理想选择，尤其适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

C3D04060A、C3D06060A、UF3SC120650K4S、SCT3040KL、SCT3060KL