类型：SiC MOSFET 模块
　　最大漏极电流：15A（每个通道）
　　最大漏源电压：650V
　　导通电阻（Rds(on)）：48mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：双功率封装（DPP）
　　配置：双通道，可并联使用
　　栅极驱动电压：典型 +15V 至 -4V
　　热阻（Rth）：约 0.35°C/W（结到外壳）

URB4815LD-15W SiC MOSFET 模块具备多项优异特性。首先，其采用了碳化硅材料，相较于传统硅基 MOSFET，具备更高的带隙能量、更高的热导率和更低的开关损耗，从而在高频开关应用中表现出更优的效率和稳定性。其次，该模块的导通电阻仅为 48mΩ，在高电流条件下可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件支持双通道并联使用，能够灵活应对不同功率等级的设计需求，同时其双功率封装设计有助于降低封装热阻，提升散热能力，确保在严苛工作条件下的可靠性。
　　该模块的栅极驱动电压范围为 +15V 至 -4V，支持标准栅极驱动器接口，便于集成到现有电路设计中。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于各种恶劣环境，如电动汽车、工业控制和可再生能源系统等。URB4815LD-15W 的高可靠性、低电磁干扰（EMI）和出色的短路耐受能力，也使其成为高要求应用的理想选择。

URB4815LD-15W 主要应用于高功率密度和高效率需求的电力电子系统中。常见应用场景包括电动汽车充电器、车载充电系统（OBC）、工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、储能系统（ESS）以及电机驱动器等。由于其具备优异的高频开关性能和低导通损耗，该模块特别适用于需要高效率和高可靠性的 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器以及逆变器拓扑结构。此外，该器件也可用于高频谐振变换器和功率因数校正（PFC）电路，以提升整体系统的能效和功率密度。

Cree/Wolfspeed C3M0040120K, Infineon IMZA65R1K1W2, STMicroelectronics SCT3040KL, ROHM SCT3040KL