URAM2HN1 时间：2025/8/20 17:50:56 阅读：13

URAM2HN1是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具有优异的导通电阻和开关特性，适用于各类电源转换器、负载开关和电机控制电路。URAM2HN1是一款N沟道增强型MOSFET，具有高耐压和大电流承载能力，使其在工业和汽车电子领域中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.3A（在Vgs = 4.5V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（典型值，Vgs = 4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP（小外形封装）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：20V
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）

特性

URAM2HN1是一款高性能MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其低Rds(on)特性有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，同时降低发热，从而延长设备的使用寿命。此外，URAM2HN1的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗。
　　该器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热性能。其SOP封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化生产，非常适合用于高密度电子产品设计。URAM2HN1的工作温度范围宽，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　此外，URAM2HN1的栅源电压（Vgs）为±12V，具备良好的栅极驱动兼容性，可以与多种驱动电路配合使用。其漏极-源极击穿电压（BVDSS）为20V，能够在一定程度上承受过电压冲击，提高了电路的可靠性。

应用

URAM2HN1主要用于电源管理和功率控制领域，常见于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化设备。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件在高效能电源设计中表现出色，尤其适用于需要轻载和高效率运行的场合。
　　在汽车电子领域，URAM2HN1可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　此外，URAM2HN1也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。其紧凑的SOP封装形式有助于减少PCB空间占用，提高产品的集成度和便携性。