类型：SiC肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：7.5A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A（@8.3ms半正弦波）
　　正向电压降（VF）：1.7V（典型值，@IF=7.5A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@VR=650V, TJ=25°C）；随温度升高略有增加
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：约3.5°C/W
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装

UR7550G-AB3-R作为一款基于碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管，其最显著的优势在于几乎无反向恢复电荷（Qrr接近零），这极大地降低了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频开关电路中表现突出。与传统的硅基PIN二极管相比，它没有少子存储效应，因此在关断过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）并提高了整体系统效率。
　　该器件的正向导通压降（VF）在额定电流下保持较低水平，且随温度变化较小，展现出良好的热稳定性。这意味着即使在高温环境下，UR7550G-AB3-R仍能维持较高的能效，避免了因温升导致的性能下降问题。此外，其反向漏电流虽然略高于硅器件，但在正常工作温度范围内仍处于可接受水平，并可通过优化散热设计进一步控制。
　　UR7550G-AB3-R具备出色的动态性能，能够承受快速的dv/dt变化率而不会发生误导通或击穿现象，这对于高频率硬开关拓扑如图腾柱PFC尤为重要。其坚固的TO-252封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备较强的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线，提升制造效率。
　　该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持绿色电子产品设计。同时，其高耐压与高电流能力使其能够在紧凑的设计中替代多个并联的硅二极管，节省PCB空间并简化热管理设计。总体而言，UR7550G-AB3-R凭借其优异的材料特性、稳定的电气性能和可靠的封装工艺，成为现代高效电源系统中的关键组件之一。

UR7550G-AB3-R广泛应用于各类需要高效率、高频率和高可靠性的电力转换系统中。其典型应用场景包括功率因数校正（PFC）电路，特别是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC拓扑中，作为升压二极管使用，可显著降低开关损耗并提高系统效率。在服务器电源、通信电源和工业电源等AC-DC转换器中，该器件有助于实现更高功率密度和更低能耗目标。
　　在DC-DC转换器中，尤其是LLC谐振变换器或同步整流拓扑中，UR7550G-AB3-R可用于次级侧整流，替代传统硅二极管以减少导通损耗和反向恢复损耗，提升整体转换效率。此外，在太阳能光伏逆变器系统中，该器件适用于直流输入端的防反接保护或组串式逆变器中的辅助电源整流环节，利用其高温耐受能力和长期稳定性增强系统可靠性。
　　在电动汽车（EV）相关的充电基础设施中，如车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源模块，UR7550G-AB3-R也能发挥重要作用。其快速响应特性和低损耗特性有助于满足严苛的能效标准和热管理要求。此外，该器件还可用于UPS不间断电源、电机驱动器中的续流路径以及各种高频开关电源模块中，作为关键的整流或钳位元件，确保系统在恶劣工况下的稳定运行。

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