UR7533G-AB3-R 时间：2025/12/27 7:44:48 阅读：8

UR7533G-AB3-R是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料工艺，具备优异的反向耐压能力与低正向导通压降特性，适用于各类开关电源、光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）等高端功率转换系统。UR7533G-AB3-R封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热性能和机械稳定性，便于在紧凑型电路设计中实现高效散热。该型号为卷带包装，符合工业自动化贴片生产要求，适合大规模量产使用。作为一款650V额定电压的SiC二极管，它在降低系统损耗、提升能量转换效率方面表现突出，是传统硅快恢复二极管的理想升级替代方案。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　是否无铅：是
　　是否环保：符合RoHS标准
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +175°C
　　反向重复峰值电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：3A
　　正向不重复浪涌电流（IFSM）：40A（单半波，60Hz）
　　最大正向压降（VF）：1.7V @ 3A, TJ=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 25°C, 650V；100μA @ 125°C, 650V
　　结电容（Cj）：典型值约105pF @ 25V
　　热阻（RθJC）：典型值3.5°C/W

特性

UR7533G-AB3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所构建的肖特基势垒结构，这种材料体系相较于传统的硅基P-N结二极管，在物理特性上实现了多项突破。首先，碳化硅具有更高的禁带宽度（约3.2eV），使得该器件能够在高温环境下保持极低的反向漏电流，即使在125°C高温工作条件下，反向漏电流也仅为100μA，显著降低了高温失效风险。其次，由于是肖特基结构，不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr≈0），从根本上消除了反向恢复过程中的开关损耗与电压振荡问题，极大提升了系统在高频开关应用中的效率与电磁兼容性（EMI）表现。
　　此外，该器件具备出色的动态性能，其结电容较小且稳定，有利于减少高频下的容性损耗，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构，如图腾柱PFC、LLC谐振变换器等。同时，UR7533G-AB3-R的最大正向压降仅为1.7V（在3A、25°C条件下），相比同等级硅二极管可降低约30%-50%的导通损耗，有助于提高整体能效并减少散热需求。其热阻参数（RθJC≈3.5°C/W）表明其具有优良的芯片到外壳热传导能力，配合TO-252封装良好的焊盘设计，可在高功率密度场景下有效将热量传递至PCB，延长系统寿命。该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达40A的非重复浪涌电流，增强了系统应对瞬态过载或启动冲击的鲁棒性。综合来看，UR7533G-AB3-R在可靠性、效率和热管理方面均表现出卓越性能，是现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

应用

UR7533G-AB3-R广泛应用于多种高效率电力电子变换场合。在通信电源和服务器电源中，常用于有源钳位反激、LLC谐振变换器及次级侧整流电路，利用其零反向恢复特性减少开关节点振铃，提升轻载效率。在光伏发电系统中，该器件被部署于组串式或微型逆变器的续流支路或升压整流环节，凭借低导通损耗和高温稳定性，有效提升全天候发电效率，尤其是在高温日照环境下优势更为明显。在新能源汽车领域，UR7533G-AB3-R可用于车载充电机（OBC）的PFC电路和DC-DC变换器中的续流二极管，帮助实现小型化、高功率密度的设计目标。工业电机驱动系统中，该器件作为IGBT模块的续流二极管配套使用，可大幅降低换流过程中的能量损耗，提升驱动系统的整体效率并减少温升。此外，在UPS不间断电源、智能电表、高压LED驱动电源以及各类高密度AC-DC/DC-DC电源模块中，UR7533G-AB3-R也因其高可靠性和长寿命而受到广泛青睐。其TO-252封装形式便于自动化贴装，适用于回流焊工艺，满足现代电子产品批量化生产的需求。