工作电压：10V ~ 25V
　　启动电流：<10μA
　　最大占空比：约65%
　　开关频率：65kHz ± 10%
　　反馈控制方式：电流模式PWM
　　内置MOSFET耐压：650V
　　基准电压精度：±1%
　　过温保护阈值：140°C（典型）
　　过压保护点：典型30V
　　封装形式：SOP-8 / DIP-8
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　引脚数：8
　　功率耗散：1.2W（典型）
　　输入电压范围（AC）：85VAC ~ 265VAC

UR6515D采用了先进的电流模式PWM控制技术，使得系统具有优异的瞬态响应性能和环路稳定性。在负载突变或输入电压波动时，电流模式控制能够快速调整占空比，维持输出电压恒定，避免出现电压跌落或过冲现象。该控制方式还便于实现逐周期电流限制，提升系统的短路和过流保护能力。芯片内部集成高精度基准电压源，典型值为2.5V，精度可达±1%，确保反馈环路的稳定性和输出电压的高精度调节。配合外部光耦和TL431等器件，可构建精确的闭环控制系统，适用于多种恒压（CV）输出拓扑结构，如反激式（Flyback）变换器。
　　该芯片内置650V耐压的高压MOSFET，适用于大多数通用交流输入场合，无需额外添加外部MOSFET，显著减少外围元件数量并提高系统集成度。启动过程中，芯片通过高压电流源直接从VDD引脚充电，实现快速启动且启动电流低于10μA，有效降低启动电阻的功耗，提升整机效率。当系统进入正常工作后，VDD由辅助绕组供电，芯片功耗进一步降低。为了提升系统可靠性，UR6515D集成了多重保护机制：过温保护（OTP）会在结温超过140°C时自动关闭输出，待温度下降后自动恢复；过压保护（OVP）防止因反馈回路失效导致输出电压过高损坏负载；过载保护（OLP）通过检测反馈信号判断负载状态，在持续过载时进入打嗝模式，限制平均功率输出；前沿消隐电路则有效抑制开关导通瞬间产生的尖峰干扰，防止误触发电流比较器。
　　此外，UR6515D引入了频率抖动技术，将开关频率在标称值附近小幅随机变化，从而将能量分散到更宽的频谱范围内，显著降低传导和辐射EMI峰值，帮助产品顺利通过EMI认证测试。这一特性特别适合用于消费类电子产品中对电磁兼容性要求较高的场合。芯片还具备良好的轻载效率优化能力，在轻载或空载条件下自动进入突发模式（Burst Mode），降低开关频率和驱动损耗，使待机功耗控制在极低水平，满足六级能效标准。综合来看，UR6515D以其高集成度、高可靠性、低待机功耗和优良的EMI表现，成为小功率开关电源设计中的理想选择。

UR6515D主要用于小功率AC-DC开关电源系统，典型应用包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居控制模块、路由器电源、LED照明驱动电源、电动玩具充电板、工业传感器供电单元以及家用电器中的辅助电源（如微波炉、洗衣机显示面板供电）。由于其高集成度和低外围成本，非常适合空间受限且对成本敏感的设计场景。在反激式拓扑结构中，UR6515D可实现单路或多路隔离输出，提供稳定的直流电压供给下游电路使用。此外，该芯片也适用于需要满足严格能效法规的产品设计，例如出口型电子产品需符合欧盟CoC V5/V6、美国DoE Level VI或中国GB20943等能效标准。在物联网设备中，UR6515D可用于为Wi-Fi模组、蓝牙模块、Zigbee通信单元等提供高效、低噪声的供电方案。其良好的动态响应能力也使其适用于存在频繁启停或负载波动的应用环境，如智能插座、远程监控摄像头等。得益于其出色的EMI抑制能力，UR6515D还可用于医疗辅助设备、办公自动化设备等对电磁干扰敏感的领域。总之，凡是需要将交流市电转换为低压直流电的小功率场合，UR6515D均能提供稳定、高效、安全的解决方案。

EG1015D
　　UR6515
　　OB2263