型号：UR533L-AD-TQ5-R
　　制造商：Qorvo (原 UnitedSiC)
　　器件类型：GaN FET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大漏极电流（ID）：33 A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：65 mΩ（典型值，@ VGS = 18 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：2700 pF（典型值，@ VDS = 600 V）
　　输出电容（Coss）：480 pF（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：< 10 μC（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：TQFN-8L（热增强型）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　峰值栅极-源极电压（VGSM）：+20 V / -10 V
　　雪崩能量额定值：有（受控条件下）

UR533L-AD-TQ5-R的核心优势在于其基于GaN-on-Si技术的材料体系，相较于传统硅基MOSFET，具备更高的电子迁移率和更优的开关性能。该器件在1200V耐压等级下实现了仅65mΩ的低导通电阻，极大降低了导通损耗，特别适用于大功率DC-DC变换器、图腾柱PFC电路和LLC谐振转换器等对效率要求严苛的应用场景。其快速开关能力使得系统能够在数百kHz甚至MHz级别的高频下稳定运行，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。由于GaN器件天然具备零反向恢复电荷的特性，UR533L-AD-TQ5-R在硬开关和软开关拓扑中均表现出色，避免了因体二极管反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰问题，提高了系统的EMI性能和可靠性。该器件的热增强型TQFN-8L封装采用铜夹连接技术，有效降低寄生电感和热阻，增强了电流承载能力和散热效率。其宽工作结温范围（最高可达175°C）使其可在高温工业环境中长期稳定运行。此外，器件内部集成了栅极保护结构，防止过压损坏，同时具备良好的抗dv/dt和di/dt干扰能力，提升了系统鲁棒性。得益于Qorvo在宽禁带半导体领域的深厚积累，UR533L-AD-TQ5-R在可靠性测试中表现出优异的长期稳定性，包括高温高压栅极偏置（HTGB）、高温反向偏置（HTRB）和高温栅极循环等认证，确保产品在严苛工况下的寿命和安全性。
　　该器件还支持并联使用，多个UR533L-AD-TQ5-R可并联以实现更高电流输出，且由于其正温度系数的导通电阻特性，在并联配置中能够实现自然均流，简化了热管理和驱动设计。其表面贴装封装形式有利于自动化生产，提高组装效率和一致性。此外，Qorvo为该系列器件提供了完整的应用支持，包括参考设计、SPICE模型、驱动建议和热仿真数据，帮助工程师快速完成系统集成和优化。UR533L-AD-TQ5-R的设计充分考虑了现代电源系统对小型化、高效化和智能化的需求，是替代传统IGBT和超结MOSFET的理想选择，尤其在追求极致能效和紧凑设计的高端电源产品中展现出巨大优势。

UR533L-AD-TQ5-R广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，它被用于实现超高效率的AC-DC和DC-DC转换，满足80 PLUS钛金等级能效要求。在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能系统，该器件凭借其高频特性和低损耗表现，显著提升能量转换效率，降低系统成本和体积。在电动汽车基础设施方面，UR533L-AD-TQ5-R可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的主功率级，支持双向能量流动和高功率密度设计。工业电机驱动、不间断电源（UPS）和焊接电源也大量采用此类高性能GaN器件，以实现更高效的能量控制和更快的动态响应。此外，在电信电源、LED驱动电源和高端消费类适配器中，UR533L-AD-TQ5-R有助于实现小型化、轻量化和绿色节能目标。其高频工作能力还适用于射频功率放大和感应加热等特殊应用场合。随着宽禁带半导体技术的普及，UR533L-AD-TQ5-R正逐步成为下一代电力电子系统的核心开关元件。

UJ3N120065K-T