类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均整流电流（IF(AV)）：33A
　　正向压降（VF）：1.75V（典型值，@ IF = 33A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@ VR = 1200V, Tj = 25°C）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-3
　　是否符合RoHS：是
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W

UR233L-18-AAR-A-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越性能表现。首先，该器件采用SiC肖特基结构，从根本上消除了PN结型二极管所固有的少子存储效应，因此在关断过程中几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而极大减少了开关过程中的能量损耗。这一特性对于高频开关应用至关重要，例如在连续导通模式（CCM）的功率因数校正（PFC）电路中，传统硅基快恢复二极管会因较大的反向恢复电流导致严重的EMI问题和开关管应力增加，而UR233L-18-AAR-A-R则能有效避免此类问题，提升系统效率并降低电磁干扰。
　　其次，碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度和热导率，使得该器件能够在高达175°C的结温下稳定运行，远高于传统硅器件的150°C上限。这不仅提升了器件在高温环境下的可靠性，还允许设计者减小散热器尺寸或提高功率密度。同时，由于正向压降随温度呈正向变化趋势（即温度升高时VF略有上升），多个UR233L-18-AAR-A-R并联使用时能够实现自然的电流均衡，避免了因热失控而导致的局部过热损坏，增强了系统的冗余性和长期稳定性。
　　此外，该器件具有极低的反向漏电流，在常温下仅为几微安级别，即使在高温条件下也保持在可控范围内，确保待机功耗较低。其TO-247封装形式具备优良的热传导路径和电气绝缘能力，适用于高电压隔离要求的应用场景。整体而言，UR233L-18-AAR-A-R结合了高耐压、大电流、低损耗与高可靠性的特点，是现代高效能电源系统中理想的自由轮询二极管或续流二极管解决方案。

UR233L-18-AAR-A-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。典型应用场景包括工业级服务器电源、电信整流器、光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC升压变换器以及不间断电源（UPS）等。在这些系统中，该器件常被用作输出整流二极管或PFC升压级中的续流二极管，利用其零反向恢复特性来减少主开关管的开通损耗，并抑制电压尖峰和振荡，从而提升整体能效并延长系统寿命。此外，由于其出色的高温工作能力，UR233L-18-AAR-A-R也适用于密闭空间内无法配备大型散热装置的紧凑型电源模块，如户外通信基站电源或新能源发电设备中的功率模块。在电机驱动系统中，它也可作为IGBT或SiC MOSFET的反并联续流二极管，提供快速且低损耗的换流路径。随着全球对能源效率标准的不断提高，特别是在80 PLUS钛金认证和Energy Star规范推动下，UR233L-18-AAR-A-R凭借其优异的静态与动态性能，已成为高端电源设计中不可或缺的关键元件之一。

UJ3D12S065K16-Q1
　　UF3C12150KPA