类型：SiC肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：1200V
　　平均正向电流（IF(AV)）：33A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：330A
　　正向电压降（VF）：典型值1.65V @ 25°C, 33A
　　反向漏电流（IR）：最大值10μA @ 25°C, 1200V；最大值200μA @ 175°C, 1200V
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-3L
　　引脚数：3
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　反向恢复时间（trr）：近似为0ns（无少子存储效应）
　　安装方式：通孔安装

UR233-30-AB3-C-R的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料所带来的卓越电气与热性能。传统硅基二极管在高电压、大电流或高频工作条件下存在较大的导通损耗和反向恢复损耗，而该器件由于使用SiC材料，具备宽禁带特性，使其能够在更高电压下保持极低的漏电流，并且几乎不存在少数载流子的存储效应，因此在关断过程中没有明显的反向恢复电流和电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性极大地降低了开关过程中的动态损耗，减少了对缓冲电路的需求，同时抑制了电磁干扰（EMI），有助于简化系统设计并提高整体效率。
　　该器件的正向压降（VF）在满载条件下仅为1.65V左右，在高温环境下仍能维持较低水平，相较于同等规格的硅快恢复二极管或PIN二极管具有明显优势。此外，其高达175°C的最大结温允许器件在高温环境中稳定运行，减少了对外部冷却系统的依赖，提升了系统的紧凑性与可靠性。TO-247-3L封装不仅提供了优良的热传导路径，还优化了内部引线布局以降低寄生电感，进一步增强了高频工作的稳定性。
　　UR233-30-AB3-C-R还表现出优异的抗浪涌能力，能够承受高达330A的非重复峰值电流，确保在瞬态过流或启动冲击条件下不发生损坏。其稳定的反向漏电流随温度变化较小，在极端工况下仍能保持良好性能。这些特点使得该器件特别适合用于高功率密度电源拓扑结构中，如图腾柱PFC、桥式整流器、CLLC谐振变换器以及电机驱动系统的续流路径。

UR233-30-AB3-C-R广泛应用于多种高效率电力电子系统中。在工业电源领域，它常被用于大功率开关模式电源（SMPS）中的输出整流或中间母线箝位，以提升能效并减小散热器体积。在可再生能源系统中，尤其是在光伏（PV）太阳能逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路或交流侧同步整流，凭借其零反向恢复特性有效降低开关损耗，提高逆变器的整体转换效率。在电动汽车相关设备中，包括车载充电机（OBC）和直流快充桩，UR233-30-AB3-C-R可用于功率因数校正（PFC）级或DC-DC变换器中，帮助实现更高的功率密度和更长的续航能力。
　　此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源等数据中心基础设施中，该器件可用于高效AC-DC和DC-DC转换模块，满足80 PLUS钛金等级等高能效标准。在电机驱动和工业变频器中，其作为续流二极管可显著减少换相过程中的能量损耗和热量产生。由于其出色的高温工作能力和长期可靠性，也适用于轨道交通、智能电网设备以及航空航天等对安全性与稳定性要求极高的场合。

UJ3C33120K3S