型号：UR133L-33-AB3-B-R
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单个二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：8A
　　正向压降（VF）：典型值0.78V @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：典型值0.1μA @ 25°C, 30V；最大值10μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 1ns（实际接近零恢复特性）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装：SOD-323
　　安装类型：表面贴装（SMT）

UR133L-33-AB3-B-R的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料构建的肖特基势垒结构，这一材料选择带来了传统硅基肖特基二极管无法比拟的电气和热性能。首先，碳化硅具有更高的临界击穿电场强度和更优的热导率，使得该器件在保持低正向压降的同时，具备更强的耐压能力和散热性能。尽管其额定电压为30V，属于低压范畴，但相较于同电压等级的硅器件，UR133L-33-AB3-B-R在高温下的反向漏电流控制极为出色，即便在125°C高温环境下，最大漏电流仍不超过10μA，有效降低了静态功耗并避免了热失控风险。此外，该器件具备几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关过程中不会产生由载流子复合引起的反向恢复电流尖峰，从而大幅减少了开关损耗和电压振铃现象，提升了系统的能效和电磁兼容性（EMC）。
　　其次，该器件的小型化SOD-323封装不仅节省PCB空间，还优化了寄生电感和电阻，进一步增强了高频响应能力。SOD-323封装支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产，且具备良好的机械稳定性和焊接可靠性。UR133L-33-AB3-B-R的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，使其可在极端工业、汽车和户外环境中稳定运行。该器件无需外部缓冲电路即可应对快速dv/dt瞬变，展现出优异的鲁棒性。由于其无掺杂P-N结的纯肖特基结构，不存在少数载流子存储效应，因此在所有工作条件下均保持一致的开关行为，不受负载或温度变化的影响。这些特性使UR133L-33-AB3-B-R成为同步整流、DC-DC转换器、OR-ing二极管、反向极性保护和高频整流等应用中的理想选择，尤其是在追求高效率、高功率密度和长期可靠性的设计中表现出色。

UR133L-33-AB3-B-R广泛应用于需要高效、高频和小型化设计的电源系统中。其典型应用场景包括便携式消费电子产品中的同步整流二极管，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的DC-DC降压或升压转换器，利用其低正向压降和零反向恢复特性显著提升转换效率，延长电池续航时间。在工业电源模块和分布式供电系统中，该器件可用于次级侧整流或防反接保护电路，确保系统在高温环境下依然稳定运行。此外，UR133L-33-AB3-B-R也适用于电信设备、服务器电源和FPGA/ASIC供电模块中的低电压整流环节，帮助降低热耗散并简化散热设计。在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，该二极管能够满足AEC-Q101可靠性标准（若为车规版本），提供可靠的电压箝位和反向隔离功能。由于其优异的EMI性能，该器件还可用于噪声敏感的模拟前端电源路径中，作为噪声抑制元件。其他应用还包括USB PD快充适配器、无线充电发射端电源管理、LED驱动电路以及太阳能微型逆变器中的辅助电源整流部分。凭借其高结温和小尺寸特性，UR133L-33-AB3-B-R特别适合密闭空间内长期运行的高可靠性系统。

UF3403
　　RB0340L-30
　　CDBU130