UR133B-3.3B 时间：2025/12/27 8:16:15 阅读：15

UR133B-3.3B是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司生产的表面贴装肖特基二极管，专为高效率、高频电源转换应用设计。该器件采用碳化硅（SiC）半导体材料制造，具备优异的热性能和电气特性，能够显著提升电源系统的整体效率并减小系统体积。UR133B-3.3B的额定电压为3300V，最大平均正向电流为1.3A，适用于工业电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统以及高压直流输电等高压、高温、高可靠性要求的应用场景。该器件封装形式为SMA（DO-214AC），具有良好的散热性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产，便于在现代电子产品中集成。由于其碳化硅材料的特性，该二极管具有极低的反向漏电流、快速恢复能力以及接近零的反向恢复电荷，从而大幅降低开关损耗，提高系统效率。此外，该器件可在高达175°C的结温下稳定工作，适应严苛的工作环境。UR133B-3.3B在设计上优化了动态性能，避免了传统硅基二极管在高频应用中常见的反向恢复问题，是替代传统快恢复二极管和硅基PIN二极管的理想选择。

参数

型号：UR133B-3.3B
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：3300V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1.3A
　　最大正向电压降（VF）：1.7V @ 1.3A, TJ=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 25°C, 3300V；500μA @ 125°C, 3300V
　　反向恢复时间（trr）：典型值为0ns（无少子存储效应）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装
　　热阻（RθJC）：约40°C/W
　　极性：单芯片共阴极配置

特性

UR133B-3.3B的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）材料构建的肖特基势垒结构，这使其在高压应用中兼具高击穿电压与低导通损耗的特性。传统的硅基高压二极管通常依赖PN结或PIN结构，存在明显的少子存储效应，导致较大的反向恢复电荷（Qrr）和较长的反向恢复时间（trr），从而在高频开关电路中产生显著的开关损耗和电磁干扰。而UR133B-3.3B利用SiC材料宽禁带（约3.2eV）的物理特性，实现了更高的临界击穿电场强度，使得器件能够在保持薄漂移层的同时承受高达3300V的反向电压。更重要的是，其肖特基接触结构本质上是一种多数载流子器件，不依赖少数载流子注入与复合，因此几乎不存在反向恢复电荷，极大地减少了开关过程中的能量损耗。
　　这种“无恢复”特性使UR133B-3.3B特别适合用于硬开关拓扑如Boost PFC、全桥/半桥LLC谐振变换器、三相维也纳整流器等，可有效提升系统效率并降低对散热系统的要求。此外，该器件在高温下的反向漏电流控制优于传统硅器件，尽管SiC肖特基二极管在高温下漏电流会有所上升，但UR133B-3.3B通过优化的势垒设计和终端钝化工艺，将125°C时的漏电流限制在500μA以内，确保了长期运行的可靠性。其175°C的最高结温允许系统在紧凑空间内实现更高功率密度设计。封装方面，SMA小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导路径，配合适当的PCB布局可有效将热量传导至地平面或散热层。该器件还具有出色的抗浪涌能力和高dv/dt耐受性，能应对电力系统中常见的电压瞬变和雷击浪涌，适用于工业级和新能源领域对可靠性和寿命要求极高的应用场景。

应用

UR133B-3.3B广泛应用于需要高压、高频和高效率整流的电力电子系统中。在光伏逆变器中，该器件常用于直流母线侧的防反二极管或升压电路中的续流元件，利用其低VF和零Qrr特性提升MPPT效率并降低系统温升。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UR133B-3.3B可用于PFC级的升压二极管，支持65kHz以上的高频运行，减小电感体积并提升功率密度。在工业UPS系统中，该器件适用于三相输入整流桥或辅助电源的高压整流模块，其高温稳定性和长期可靠性保障了关键负载的持续供电。此外，在高压电源供应器、感应加热设备、医疗成像电源以及风力发电变流器中，UR133B-3.3B凭借其卓越的动态性能和耐压能力，成为提升系统效率和缩小散热结构的关键元件。其表面贴装封装也适用于自动化生产线，满足大批量制造的需求，尤其适合追求小型化和轻量化的高端电源设计。