型号：UR133AL-AD
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：4A（@ VGS=10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@ VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（@ VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@ VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UR133AL-AD采用了高性能的沟槽栅工艺，这种结构显著降低了导通电阻并提升了载流能力，使其在小封装下也能实现高效的功率切换。该器件的低RDS(on)特性意味着在导通状态下功耗更低，有助于提高系统整体效率并减少散热需求。其在4.5V VGS下的导通电阻仅为35mΩ，表明它能够很好地兼容3.3V或5V逻辑电平控制系统，非常适合现代低电压供电的应用场景。
　　该MOSFET具备快速开关响应能力，得益于较小的栅极电荷和寄生电容，使得其在高频开关应用中表现出色，如同步整流、开关电源和PWM电机控制等。同时，较低的输入电容（Ciss）减少了驱动电路所需的能量，进一步提升了系统的能效表现。器件内部经过优化设计，有效抑制了米勒效应带来的误触发风险，增强了在高噪声环境中的运行稳定性。
　　UR133AL-AD还具有良好的热性能，尽管其封装尺寸较小，但通过优化芯片布局与材料选择，实现了较高的热导率，能够在持续负载下维持稳定的工作温度。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品制造。此外，其高抗雪崩能力使其在感性负载切换过程中不易损坏，提高了整个系统的鲁棒性。综合来看，UR133AL-AD是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的MOSFET器件，适用于多种中低功率应用场景。

UR133AL-AD常用于各类便携式电子设备中的电源开关控制，例如手机、平板电脑和移动电源中的电池保护电路或负载开关模块。在这些应用中，它负责接通或切断主电源路径，以实现节能待机或过流保护功能。此外，该器件也广泛用于DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关，替代传统二极管以降低导通损耗，提升转换效率。
　　在电机驱动领域，UR133AL-AD可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，配合PWM信号实现精确的速度与方向控制。由于其快速响应特性，适合用于需要频繁启停或调速的小型家电、玩具机器人或智能门锁等产品。
　　另外，该MOSFET还可用于LED驱动电路中，作为恒流源的通断控制开关，尤其适用于背光调节或状态指示灯控制。在工业控制与通信设备中，UR133AL-AD也可担当信号切换或多路复用功能的角色，因其低导通电阻可最小化信号衰减，确保数据完整性。总之，凡是需要高效、小型化、逻辑电平驱动的开关场合，UR133AL-AD都是一个理想的选择。

AO3400,AO3401,SI2302,FDG330N,FDC630N