时间：2025/12/27 7:13:57
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UR133AL-33-AB3-C-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热性能和电气特性，适用于多种严苛的工业和电源转换应用。UR133AL-33-AB3-C-R属于UnitedSiC的UJ3C系列，该系列以低反向恢复电荷、零反向恢复电流以及出色的开关性能著称，能够显著提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这款二极管的额定电压为650V，平均正向电流为10A，是替代传统硅基快速恢复二极管的理想选择。其封装形式为TO-252（D-Pak），便于在各种表面贴装和通孔应用场景中使用，并支持自动焊接工艺。由于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件能够在高达175°C的结温下稳定运行，适合在紧凑型高功率密度电源系统中使用，如服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和工业电机驱动等。此外，UR133AL-33-AB3-C-R具有极低的正向导通压降和几乎无反向恢复损耗的特点，使其在高频DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路中表现出色，有助于减小散热器尺寸和整体系统体积。
类型：SiC肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A
正向电压降（VF）：典型值1.45V（在10A, 25°C条件下）
反向漏电流（IR）：典型值200μA（在650V, 25°C）；高温下最大5mA（175°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
热阻（RθJC）：约2.5°C/W
封装类型：TO-252 (D-Pak)
安装方式：表面贴装/通孔兼容
UR133AL-33-AB3-C-R的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料相比传统的硅基二极管具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的本征载流子浓度。这使得该器件在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流，从而提高系统的长期可靠性。更重要的是，SiC肖特基二极管本质上没有PN结，因此不存在少子存储效应，也就没有反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr），这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，尤其在高频硬开关拓扑中效果显著。例如，在连续导通模式（CCM）的PFC升压二极管应用中，传统硅快恢复二极管会产生较大的恢复电流尖峰，导致主开关管（如MOSFET或IGBT）承受额外的开关应力和损耗，而UR133AL-33-AB3-C-R则完全避免了这一问题，使系统效率提升2%～4%，同时降低了EMI滤波器的设计难度和成本。
此外，该器件具备优异的动态性能和稳定性，即使在负载剧烈变化或温度波动的情况下也能保持一致的电气行为。其正向电压温度系数呈正相关，即随着温度升高，VF略有上升，但不会像硅二极管那样出现热失控风险，反而有利于多管并联时的电流均衡。UR133AL-33-AB3-C-R的TO-252封装不仅具备良好的机械强度和热传导能力，还支持自动化生产线的回流焊工艺，提升了制造效率。该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其可在汽车电子等高要求环境中可靠运行。总体而言，UR133AL-33-AB3-C-R凭借其材料优势、电气性能和封装设计，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件。
UR133AL-33-AB3-C-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常被用作PFC电路中的升压二极管，利用其零反向恢复特性来减少主开关管的开通损耗，提高整体能效，满足80 PLUS钛金等高标准认证需求。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能变流器，该器件用于直流母线侧的防反接和能量回馈路径，确保系统在复杂光照条件下的稳定运行。在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩的辅助电源模块，UR133AL-33-AB3-C-R都能提供高可靠性和高效率的整流解决方案。此外，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、感应加热设备和高密度DC-DC转换器等场景，特别是在需要小型化、轻量化和高效散热设计的应用中表现突出。由于其耐高温能力和长期稳定性，UR133AL-33-AB3-C-R也可用于恶劣环境下的工业控制和户外设备中。
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