时间：2025/12/27 7:35:41
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UR133AL-18-AB3-B-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化物半导体技术，具有无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，能够显著降低开关损耗，提升系统整体能效。UR133AL-18-AB3-B-R的额定电压为1200V，平均正向电流为13A，适用于多种高功率密度电源转换应用。其低正向导通压降（VF）和优异的热性能使其在工业级和严苛环境中表现出色。该器件封装形式为TO-252（D-Pak），便于在紧凑型PCB布局中进行表面贴装，同时具备良好的散热能力。由于其卓越的动态性能和可靠性，UR133AL-18-AB3-B-R广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源、工业电机驱动和不间断电源（UPS）等高端电力电子设备中。此外，该型号符合RoHS环保标准，并具备高抗浪涌能力和出色的长期稳定性，适合在恶劣电磁干扰和高温环境下长期运行。
型号：UR133AL-18-AB3-B-R
制造商：UnitedSiC（Qorvo）
器件类型：碳化硅肖特基二极管
最大反向电压（VRRM）：1200 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：13 A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：120 A（单半波60Hz）
正向电压降（VF）：典型值1.70 V @ 13A, 25°C
反向漏电流（IR）：典型值250 μA @ 1200V, 25°C；最大值4 mA @ 1200V, 150°C
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
封装类型：TO-252 (D-Pak)
安装方式：表面贴装
反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（无反向恢复电荷）
热阻（RθJC）：约2.0 °C/W
UR133AL-18-AB3-B-R的核心优势在于其采用的第四代碳化硅肖特基势垒二极管技术，这种技术从根本上消除了传统硅基PN结二极管所固有的反向恢复电荷问题。在高频开关电源应用中，反向恢复电流是导致开关损耗增加、电磁干扰（EMI）加剧以及效率下降的主要因素之一。而UR133AL-18-AB3-B-R由于没有P-N结，仅依靠金属-半导体肖特基接触实现整流功能，因此在关断过程中不会产生少数载流子的存储效应，从而实现了接近零的反向恢复电荷（Qrr）和几乎可忽略的反向恢复电流。这一特性使得该器件非常适合用于硬开关拓扑结构如LLC谐振变换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路等，能够显著减少主开关器件（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，提升系统效率高达2%～3%。
此外，该器件具有出色的温度稳定性。随着结温升高，其正向压降（VF）变化较小，且呈轻微负温度系数，这有利于并联使用时的电流均衡。同时，其反向漏电流虽然随温度上升而增加，但在150°C高温下仍保持在可接受范围内（最大4mA），确保了高温工况下的可靠运行。UR133AL-18-AB3-B-R支持高达175°C的最大结温，远高于传统硅二极管的150°C限制，使其能够在密闭、通风不良或高温工业环境中稳定工作。其低热阻（RθJC ≈ 2.0°C/W）也意味着热量可以高效地从芯片传递到散热器，进一步提升了功率密度和系统可靠性。TO-252封装不仅支持自动化贴片生产，还具备较强的机械强度和耐热循环能力，适合汽车级和工业级应用场景。
UR133AL-18-AB3-B-R因其优异的电气和热性能，广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源中，该器件常用于有源钳位反激、LLC谐振变换器及图腾柱PFC电路中作为升压二极管或续流二极管，帮助实现98%以上的系统效率，满足80 PLUS钛金认证要求。在光伏（太阳能）逆变器领域，UR133AL-18-AB3-B-R被用于DC-DC升压级和DC-AC逆变桥臂中的体二极管续流路径，有效抑制反向恢复带来的损耗与噪声，提高逆变器的整体转换效率和MTBF（平均无故障时间）。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可在高频率软开关拓扑中提供快速响应和低损耗整流功能，支持双向能量流动和高效电能转换。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源、焊接电源和感应加热设备中，UR133AL-18-AB3-B-R也被广泛用作自由轮二极管或阻断二极管，以提升系统的动态响应速度和能效水平。得益于其宽温度范围和高可靠性，该器件同样适用于户外通信电源、铁路牵引系统和可再生能源储能系统等严苛工作环境。
UJ3D13K12S1B-A02
UF3C1213KPA
