类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：160 A（@ 8.3ms, 半正弦波）
　　正向电压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 10A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250 μA（最大值，@ VR = 1200V, TJ = 25°C）；可达数mA级（@ TJ = 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：表面贴装型（如SMD-2L或TO-258AA）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷，Qrr ≈ 0）
　　热阻结至外壳（RθJC）：约2.5 °C/W（依具体封装和PCB布局而定）

UR133A-33D的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造而成，这使得它与传统硅基PIN二极管相比，在多个关键性能指标上实现了显著提升。首先，由于SiC材料具有宽禁带特性，该器件能够在高达175°C的结温下持续稳定工作，远高于普通硅器件的150°C上限，从而提升了在高温环境下的可靠性与寿命。其次，作为一款肖特基势垒二极管，UR133A-33D不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复电荷Qrr几乎为零，这意味着在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗和电流尖峰，有效降低了系统的总能耗和电磁干扰水平，有助于简化滤波电路设计并提高整体能效。
　　此外，该器件在10A导通电流下的典型正向压降仅为1.7V，相较于同等级别的硅快恢复二极管（通常VF > 2.0V），可减少约15%的导通损耗，尤其在大电流工况下节能效果更为明显。同时，低VF结合优异的热导率使器件即使在高功率密度应用中也能保持较低的工作温度，延长了系统使用寿命。UR133A-33D还具备出色的dv/dt耐受能力，避免了因快速电压变化引起的误触发或击穿风险，增强了系统稳定性。其表面贴装封装不仅节省空间，便于自动化生产，还能通过优化PCB布局实现更优的散热管理。综合来看，UR133A-33D凭借其高效、高速、高可靠性的特点，成为现代高功率密度电源系统中理想的整流与续流元件选择。

UR133A-33D广泛应用于各类需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于服务器电源、通信电源及高端AC-DC适配器中的输出整流或中间母线整流环节，特别是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，其零反向恢复特性可大幅降低开关管的关断损耗，提升整体系统效率至96%以上。在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器，该器件被用作直流侧升压电路的整流二极管，能够承受高输入电压并适应全天候运行条件，确保能量转换过程的高效与稳定。在电动汽车基础设施方面，UR133A-33D适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率转换模块，帮助实现更高的功率密度和更快的充电速度。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该器件可用于双向DC-DC变换器或逆变桥臂的续流路径，提供可靠的电流回路支持。由于其优异的高温性能和长期稳定性，也适合部署于轨道交通、工业电机驱动和感应加热等恶劣工作环境中，满足严苛的工业级应用要求。

UF3DB12003B8,E3/45