UR133A-3.3B 时间：2025/12/27 8:44:46 阅读：21

UR133A-3.3B是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管阵列，专为高速数据线路的静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、响应速度快、可靠性高等优点，适用于便携式电子设备中对空间和性能要求较高的应用场景。UR133A-3.3B集成了两个双向齐纳二极管结构，能够为单路信号线提供对称的过压保护，特别适合用于保护低压逻辑电路免受瞬态电压冲击的影响。其工作原理基于齐纳击穿效应，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响信号传输；当线路遭遇ESD事件或感应雷击等瞬态过压时，器件迅速进入低阻态，将多余能量泄放到地，从而钳制电压在安全范围内，保护后级敏感元件。该器件符合IEC61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）的严苛标准，具备出色的抗干扰能力。此外，UR133A-3.3B具有低电容特性（典型值小于1pF），确保在高速信号传输中不会引入明显的信号失真或衰减，广泛应用于USB接口、智能手机、平板电脑、便携式仪器仪表及各种通信端口的防护电路中。

参数

型号：UR133A-3.3B
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-23
　　通道数：1（双二极管配置）
　　极性：双向
　　击穿电压（VBR）：4.0V 典型值
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　最大钳位电压（VC @ IPP）：10V @ 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　结温（Tj）：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　引脚数量：3
　　安装方式：表面贴装
　　产品系列：UR133A
　　ESD 耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
　　电容值（C）：0.8pF 典型值（f = 1MHz, V = 0V）

特性

UR133A-3.3B的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.8pF，在高频信号线路中几乎不引入寄生效应，有效避免了信号反射、延迟和衰减等问题，使其非常适合用于高速数字接口如USB 2.0、HDMI控制线、I2C、SPI等场合。这种低电容特性得益于内部二极管结构的优化布局以及半导体工艺的精细控制，能够在保证保护功能的同时最大限度地减少对原始信号完整性的影响。
　　另一个关键特性是其双向保护能力。UR133A-3.3B内部采用两个背靠背连接的齐纳二极管结构，形成一个对称的双向钳位网络。这种设计使得无论输入端出现正向还是负向的瞬态过压脉冲，器件都能快速响应并将其限制在安全范围内。这对于处理可能产生负压瞬变的通信线路尤为重要，例如热插拔操作或接地反弹现象，传统单向TVS无法应对此类情况，而UR133A-3.3B则能全面防护。
　　该器件还具备极快的响应时间，通常在亚纳秒级别，远快于大多数外部ESD事件的发展速度，确保在第一个电压上升沿到来之前就已进入导通状态。这一特性对于防止敏感CMOS器件因栅氧击穿而导致永久性损坏至关重要。同时，其1A的峰值脉冲电流能力足以吸收典型的ESD放电能量，满足工业级和消费类电子产品的需求。
　　UR133A-3.3B采用SOT-23小型化封装，占用PCB面积极小，便于在紧凑型设备中实现高密度布局。该封装具有良好的热稳定性和机械强度，支持自动贴片生产工艺，适合大规模量产应用。此外，器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品制造。

应用

UR133A-3.3B主要用于各类便携式电子设备中的高速信号线路ESD保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑的USB OTG接口、耳机插孔、触摸屏控制器信号线等易受人体静电影响的部位。在这些设备中，用户频繁插拔外设或直接接触接口，极易引发ESD事件，导致系统死机甚至芯片损坏，使用UR133A-3.3B可显著提升产品的可靠性和使用寿命。
　　在工业控制系统中，该器件可用于保护RS-232、RS-485通信端口、传感器输入通道等弱电信号线路，防止现场环境中由于静电积累或电磁干扰引起的误动作。在医疗电子设备中，如手持式诊断仪、监护仪等，UR133A-3.3B可用于保护前端模拟采集通道，确保信号精度不受外界干扰影响。
　　此外，该器件也常见于计算机外设，如鼠标、键盘、U盘等产品的数据线上，提供基本的过压防护。在智能家居设备中，如Wi-Fi模块、蓝牙模组的数据引脚上也可使用UR133A-3.3B进行ESD抑制。由于其双向特性和低电容优势，尤其适用于I2C总线、单线通信、中断信号线等双向或多态信号路径的保护，确保通信稳定性与系统鲁棒性。