产品类型：多层陶瓷压敏电阻（MLV）
　　封装尺寸：2.0mm × 1.25mm（公制）/ 0805（英制）
　　额定电压（VRMS）：1.5V
　　最大工作电压：1.5V
　　钳位电压（典型值）：约3V（在特定测试电流下）
　　电容值（典型值）：1000pF ±20%
　　允许误差：±20%
　　响应时间：≤1ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　耐ESD能力：IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV，空气放电±15kV）
　　结构类型：表面贴装型（SMD）
　　端电极材料：镍/锡（Ni/Sn）镀层，兼容无铅焊接

UPZ2012E102-1R5TF的最显著特性之一是其超低的工作电压与快速响应能力，使其特别适用于1.8V及以下的低压逻辑电路保护。在现代移动设备中，越来越多的IC采用低电压供电以降低功耗，这使得传统较高钳位电压的保护器件不再适用，而UPZ2012E102-1R5TF能够在1.5V系统中提供有效保护而不干扰正常信号传输。其内部采用多层陶瓷共烧技术，形成多个串联的锌氧化物（ZnO）晶界结，这些晶界结在低电场下表现为绝缘体，在高电场下则发生雪崩击穿，实现非线性导通。这种结构不仅提高了器件的电压稳定性，还增强了其能量吸收能力和长期可靠性。
　　该器件的寄生电感极低，通常小于0.5nH，有助于在GHz级信号路径中保持信号完整性，避免因保护元件引入的高频失真或反射。同时，其电容值控制在1000pF左右，经过优化设计，可在不影响高速数据传输的前提下提供足够的滤波和去耦作用。例如，在USB 2.0或I2C等中低速接口中，该电容水平不会导致明显的信号延迟或上升/下降时间劣化。此外，UPZ2012E102-1R5TF具备优异的循环耐久性，可承受多次ESD冲击而性能衰减极小，适合长期部署在暴露于人体接触的接口端子上。
　　在环境适应性方面，该器件通过了严格的温度循环、湿度敏感度和机械强度测试，确保在复杂工况下稳定工作。其端电极采用双层金属化结构，底层为铜或银钯合金，外层为镍锡，既保证了良好的可焊性，又防止了银迁移现象的发生。整体结构致密，吸湿率低，适合无铅回流焊工艺，兼容现代绿色制造流程。值得一提的是，该器件在老化过程中表现出极小的参数漂移，电压-电流特性曲线稳定，长期使用后仍能维持初始保护性能，这对于高可靠性要求的应用场景至关重要。

UPZ2012E102-1R5TF主要应用于对静电放电敏感的低电压电子系统中，尤其是在便携式消费类电子产品中发挥关键保护作用。典型应用场景包括智能手机和平板电脑的USB Type-A/C接口、耳机插孔、SIM卡槽、TF卡接口等外露连接器的ESD防护。由于这些接口经常与人体或外部设备接触，极易引入静电脉冲，UPZ2012E102-1R5TF能够迅速响应并泄放高达±15kV的空气放电或±8kV的接触放电能量，防止静电击穿主控芯片或通信模块。
　　在通信领域，该器件可用于保护I2C、SPI、UART等低速串行总线，防止因误操作或环境干扰导致的数据错误或器件损坏。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，由于空间极其有限且工作电压普遍低于2V，UPZ2012E102-1R5TF的小型化和低压适配特性使其成为理想的保护方案。此外，它还可用于LCD/OLED显示屏的驱动信号线保护，防止装配或维修过程中的静电损伤。
　　在工业控制和汽车电子辅助系统中，尽管工作环境电压较高，但在某些传感器接口或低功耗微控制器的调试端口上，仍可采用此类低压MLV进行局部保护。例如，在车载信息娱乐系统的触摸按键或蓝牙模块接口中，UPZ2012E102-1R5TF可以有效抑制人为静电干扰，提高系统稳定性。同时，因其符合AEC-Q200的部分应力测试标准，具备一定的车规级应用潜力。总而言之，该器件适用于所有需要在微型化、低电压、高可靠性条件下实现瞬态电压抑制的场合。

SA1000B1R5STF