UPX1V4R7MPD是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于小型表面贴装电容器,广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的电源去耦、滤波和旁路电路中表现优异。UPX1V4R7MPD采用0603(1608公制)封装尺寸,额定电容为4.7μF,额定电压为1V,具有良好的直流偏压特性,适合在低电压、高密度的便携式电子产品中使用,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。该电容器采用镍/锡阻挡层电极结构,具备良好的可焊性和耐热性,符合无铅回流焊工艺要求,并满足RoHS环保标准。由于其超薄外形设计,UPX1V4R7MPD特别适用于对空间和高度有严格限制的应用场景。
型号:UPX1V4R7MPD
制造商:ROHM
封装尺寸:0603 (1608mm)
电容值:4.7μF
额定电压:1V DC
电容容差:±20%
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
温度特性:X5R
介质材料:陶瓷
安装类型:表面贴装(SMD)
电极结构:Ni/Sn(镍/锡阻挡层)
产品系列:UPX1系列
UPX1V4R7MPD作为ROHM UPX1系列中的高性能多层陶瓷电容器,具备多项关键特性,使其在现代高密度电子设计中备受青睐。首先,该电容器采用了先进的叠层陶瓷技术,在0603的小型封装内实现了高达4.7μF的电容值,显著提升了单位体积的储能能力,满足了便携式设备对小型化和高容量的需求。其次,其采用X5R温度特性陶瓷介质,确保在-55°C至+85°C的宽温度范围内,电容值变化不超过±15%,表现出良好的温度稳定性,适用于各种环境条件下的应用。此外,该器件具备极低的等效串联电阻(ESR),有助于有效抑制高频噪声,提高电源系统的稳定性,特别适用于高速数字电路的去耦应用。
另一个重要特性是其出色的直流偏压性能。传统高介电常数陶瓷电容(如Y5V)在施加直流电压时电容值会显著下降,而UPX1V4R7MPD基于X5R介质优化设计,在1V工作电压下仍能维持较高的有效电容值,确保电路性能的一致性。同时,该电容器采用镍/锡阻挡层电极结构,不仅增强了端子的耐焊接热性能,还提高了长期使用的可靠性,防止因银离子迁移导致的短路失效。其结构设计也支持自动化贴片工艺,兼容标准SMT生产线,便于大规模制造。
UPX1V4R7MPD还符合RoHS指令和无卤素要求,体现了环保设计理念。其材料和制造工艺经过严格控制,具备良好的抗湿性和长期稳定性,能够在严苛的工作环境中保持性能不变。此外,该器件具有较高的机械强度和抗弯曲裂纹能力,减少了因PCB弯曲或热应力引起的开裂风险。总体而言,UPX1V4R7MPD凭借其高容量密度、稳定的电气性能、可靠的结构设计和环保合规性,成为现代消费类电子和通信设备中理想的去耦与滤波元件。
UPX1V4R7MPD主要应用于需要小型化、高可靠性和良好高频特性的电子设备中。典型应用场景包括移动通信设备的电源管理单元,用于处理器、存储器和射频模块的电源去耦,以降低电压波动和噪声干扰,提升系统稳定性。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中,该电容器常用于电池供电路径的滤波电路,以及低压差稳压器(LDO)的输入输出端,起到平滑电压和抑制纹波的作用。此外,在高密度印刷电路板(PCB)设计中,UPX1V4R7MPD因其0603紧凑封装,能够有效节省布板空间,适用于空间受限的可穿戴设备和物联网传感器节点。
在数字电路系统中,该电容器广泛用于FPGA、ASIC和微控制器的电源引脚旁路,快速响应瞬态电流变化,防止因电源反弹引起的逻辑错误。在DC-DC转换器电路中,UPX1V4R7MPD可用于输出滤波,配合电感构成LC滤波网络,提高输出电压的纯净度。同时,由于其良好的频率响应特性,也可用于模拟信号链中的噪声抑制和电源旁路。在汽车电子领域,尽管其工作温度上限为+85°C,限制了高温环境下的使用,但仍可用于车内信息娱乐系统、车载导航模块等非引擎舱内的低功耗电子模块。此外,工业控制设备、医疗电子仪器和智能家居终端等对可靠性和稳定性有较高要求的应用中,该器件也能发挥其优势。总之,UPX1V4R7MPD凭借其高容量、小尺寸和稳定性能,广泛服务于消费电子、通信、工业和汽车电子等多个领域。
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