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UPW2W2R2MPD 发布时间 时间:2025/10/8 2:31:03 查看 阅读:7

UPW2W2R2MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的通用P沟道MOSFET,采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺制造,适用于高密度电源应用。该器件封装在紧凑的表面贴装CST3(SOT-723)封装中,具有非常小的占位面积,适合对空间要求极为严格的便携式电子设备。UPW2W2R2MPD的主要设计目标是提供低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性,从而在电池供电系统中实现更高的能效和更长的工作时间。该MOSFET通常用于负载开关、电源管理开关、LED驱动电路以及小型逻辑信号控制等应用场景。得益于其P沟道结构,该器件在关断N沟道MOSFET难以实现的高边开关配置中表现出色,能够简化栅极驱动电路设计。此外,UPW2W2R2MPD符合RoHS环保标准,并具备出色的可靠性和长期稳定性,适合在消费类电子产品、移动设备、可穿戴设备及物联网终端中广泛使用。

参数

型号:UPW2W2R2MPD
  制造商:ROHM Semiconductor
  晶体管类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-2.2A(Ta=25°C),-1.8A(Tc=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):-6.6A
  导通电阻(RDS(on)):2.2Ω(VGS=-4.5V),2.7Ω(VGS=-2.5V)
  阈值电压(VGS(th)):-0.8V ~ -1.5V
  输入电容(Ciss):290pF(VDS=10V,VGS=0V)
  输出电容(Coss):110pF(VDS=10V,VGS=0V)
  反向恢复时间(trr):未指定
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:CST3(SOT-723)
  安装方式:表面贴装

特性

UPW2W2R2MPD具备多项关键特性,使其成为低功率P沟道MOSFET中的优选器件。首先,其低导通电阻(RDS(on))在同类产品中表现优异,尤其是在VGS=-4.5V条件下仅为2.2Ω,显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长设备续航时间。其次,该器件采用CST3超小型封装,尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.4mm,极大节省了PCB布局空间,适用于智能手机、智能手表、TWS耳机等高度集成的便携式产品。此外,UPW2W2R2MPD的栅极电荷(Qg)较低,结合其输入电容(Ciss)仅290pF的特点,使得器件在开关过程中所需的驱动能量较少,从而加快开关速度并减少动态损耗,适用于高频开关应用。
  另一个重要特性是其良好的热性能和稳定性。尽管封装尺寸微小,但ROHM通过优化芯片结构和封装材料,确保了器件在高负载下仍能保持稳定的热阻性能。其最大工作结温可达+150°C,具备较强的环境适应能力。同时,该MOSFET的阈值电压范围(-0.8V至-1.5V)适中,可在较低的栅极驱动电压下实现可靠的导通与关断,兼容3.3V或1.8V逻辑电平控制,增强了系统设计的灵活性。此外,器件具备良好的抗静电能力(HBM ESD耐压为±2000V),提高了在生产与使用过程中的可靠性。ROHM还对该器件进行了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环测试,确保其在恶劣环境下长期稳定运行。

应用

UPW2W2R2MPD广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用之一是作为负载开关,用于控制电源路径的通断,例如在多电源域系统中实现模块化供电管理,避免不必要的待机功耗。在移动设备中,它常被用于LCD背光或摄像头模组的电源控制,实现按需供电以节约能源。此外,该器件也适用于电池保护电路中的高边开关配置,利用P沟道结构简化驱动电路设计,无需额外的电荷泵即可实现有效控制。
  在LED驱动方面,UPW2W2R2MPD可用于低电流指示灯或状态灯的开关控制,凭借其快速响应能力和低静态功耗,确保灯光控制精准且高效。在便携式医疗设备、传感器模块和IoT节点中,该MOSFET常用于主控MCU对外设的电源使能控制,实现“按需唤醒”机制,大幅降低系统平均功耗。此外,由于其良好的开关特性和稳定性,也可用于信号切换、逻辑电平转换和小型继电器替代方案中。在消费类电子产品如蓝牙耳机、智能手环、无线充电器等设备中,UPW2W2R2MPD因其微型封装和高性能表现,已成为电源管理设计中的常用元件。

替代型号

DMG2302UK-7
  AOA60628

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UPW2W2R2MPD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容2.2 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值450 Volts
  • 工作温度范围- 25 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸10 mm Dia. x 20 mm L
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • 损耗因数 DF0.25
  • 引线间隔5 mm
  • 漏泄电流139 uAmps
  • 加载寿命5000 hr
  • 纹波电流29 mAmps
  • 系列PW
  • 工厂包装数量200