型号：UPW2W2R2MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.2A（Ta=25°C），-1.8A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-6.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（VGS=-4.5V），2.7Ω（VGS=-2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：290pF（VDS=10V，VGS=0V）
　　输出电容（Coss）：110pF（VDS=10V，VGS=0V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：CST3（SOT-723）
　　安装方式：表面贴装

UPW2W2R2MPD具备多项关键特性，使其成为低功率P沟道MOSFET中的优选器件。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在同类产品中表现优异，尤其是在VGS=-4.5V条件下仅为2.2Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长设备续航时间。其次，该器件采用CST3超小型封装，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.4mm，极大节省了PCB布局空间，适用于智能手机、智能手表、TWS耳机等高度集成的便携式产品。此外，UPW2W2R2MPD的栅极电荷（Qg）较低，结合其输入电容（Ciss）仅290pF的特点，使得器件在开关过程中所需的驱动能量较少，从而加快开关速度并减少动态损耗，适用于高频开关应用。
　　另一个重要特性是其良好的热性能和稳定性。尽管封装尺寸微小，但ROHM通过优化芯片结构和封装材料，确保了器件在高负载下仍能保持稳定的热阻性能。其最大工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力。同时，该MOSFET的阈值电压范围（-0.8V至-1.5V）适中，可在较低的栅极驱动电压下实现可靠的导通与关断，兼容3.3V或1.8V逻辑电平控制，增强了系统设计的灵活性。此外，器件具备良好的抗静电能力（HBM ESD耐压为±2000V），提高了在生产与使用过程中的可靠性。ROHM还对该器件进行了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保其在恶劣环境下长期稳定运行。

UPW2W2R2MPD广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用之一是作为负载开关，用于控制电源路径的通断，例如在多电源域系统中实现模块化供电管理，避免不必要的待机功耗。在移动设备中，它常被用于LCD背光或摄像头模组的电源控制，实现按需供电以节约能源。此外，该器件也适用于电池保护电路中的高边开关配置，利用P沟道结构简化驱动电路设计，无需额外的电荷泵即可实现有效控制。
　　在LED驱动方面，UPW2W2R2MPD可用于低电流指示灯或状态灯的开关控制，凭借其快速响应能力和低静态功耗，确保灯光控制精准且高效。在便携式医疗设备、传感器模块和IoT节点中，该MOSFET常用于主控MCU对外设的电源使能控制，实现“按需唤醒”机制，大幅降低系统平均功耗。此外，由于其良好的开关特性和稳定性，也可用于信号切换、逻辑电平转换和小型继电器替代方案中。在消费类电子产品如蓝牙耳机、智能手环、无线充电器等设备中，UPW2W2R2MPD因其微型封装和高性能表现，已成为电源管理设计中的常用元件。

DMG2302UK-7
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