时间：2025/10/7 10:18:51
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UPW2W101MRD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench MOS结构，专为高效率和高性能的电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装HUMT5（或DFN1006-3）封装中，具有极低的封装尺寸（1.0mm x 0.6mm x 0.39mm），非常适合空间受限的便携式电子设备。UPW2W101MRD的主要用途是在电池供电系统中作为负载开关、电源开关或反向电流阻断元件。其P沟道结构允许在栅极施加低于源极电压的电平来实现导通，简化了驱动电路的设计，尤其适用于低压逻辑控制直接驱动的应用场景。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在严苛环境下的长期运行能力。此外，器件内部无铅且采用纯锡镀层，确保焊接兼容性和环境友好性。由于其小型化和高性能特性，UPW2W101MRD广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端、无线耳机和其他对尺寸和功耗极为敏感的消费类电子产品中。
型号：UPW2W101MRD
极性：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.7A
脉冲漏极电流（IDM）：-3.4A
导通电阻（RDS(on)）：最大450mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：最大580mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（Vth）：典型值-0.85V，范围-0.6V至-1.0V
输入电容（Ciss）：约200pF @ VDS=10V, VGS=0V
输出电容（Crss）：约40pF
反向传输电容（Cres）：约35pF
栅极电荷（Qg）：约1.8nC @ VDS=10V, VGS=4.5V
功率耗散（Pd）：500mW
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装类型：HUMT5 (DFN1006-3)
安装方式：表面贴装
引脚数：3
UPW2W101MRD具备多项关键性能优势，使其成为现代低功耗电子系统中的理想选择。首先，其超小型HUMT5封装显著节省PCB面积，有助于实现设备的小型化与轻薄化设计。其次，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)仅为580mΩ，这使得它能够与3.3V或更低电压的数字控制器直接接口而无需额外的电平转换电路，从而降低系统复杂度和成本。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，得益于其低输入和输出电容，减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体能效。器件的阈值电压经过精确控制，典型值为-0.85V，保证了稳定的开启行为，避免因阈值漂移导致的误动作。UPW2W101MRD还展现出优异的热性能，在额定功率下结到环境的热阻较低，有助于热量有效散发，延长器件寿命。其沟道结构优化降低了米勒效应的影响，提高了抗噪声干扰能力，增强了在高频开关环境下的稳定性。所有这些特性共同作用，使该器件能够在频繁启停和动态负载变化条件下可靠运行。另外，产品经过严格的质量管控和可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）以及温度循环测试，确保在工业和汽车级应用场景下的长期稳定性。最后，该器件支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，便于大规模自动化装配。
UPW2W101MRD广泛应用于各类需要高效电源管理的小型化电子设备中。一个主要应用领域是移动通信设备，如智能手机和平板电脑，用于电池与外设之间的电源开关控制，实现模块化供电以节约能耗。在可穿戴设备中，如智能手表和健康监测手环，该器件可用于关闭未使用传感器或无线模块的电源，延长续航时间。此外，它常被用作防止电池反向充电的防倒灌电路元件，在多电源路径管理系统中发挥关键作用。在物联网节点和无线传感器网络中，UPW2W101MRD可用于间歇性工作的微控制器或射频收发器的电源门控，实现深度睡眠模式下的零泄漏或极低泄漏运行。在便携式医疗设备中，如血糖仪或电子体温计，该MOSFET可作为主电源开关，确保设备在长时间存放后仍能保持足够的电量。汽车电子中的某些非动力域系统，如车载信息娱乐系统的子模块或车身控制模块的待机电源管理，也可采用此器件，得益于其AEC-Q101认证带来的高可靠性保障。此外，该器件适用于各种USB供电设备中的过流保护或热插拔控制电路，防止瞬态冲击损坏下游电路。由于其封装小巧且电气性能优良，也常用于TWS（真无线立体声）耳机盒内的充电管理和耳机本体的电源切换。总之，凡是要求低静态功耗、小封装尺寸和高集成度的直流电源控制场合，UPW2W101MRD都能提供有效的解决方案。
Si2301DS
