时间：2025/10/7 13:26:18
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UPW2V100MHD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和DC-DC转换等场景。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备和高密度电源系统。其封装形式为SOP-8（表面贴装），有助于减小PCB占用面积并提升组装自动化程度。UPW2V100MHD特别适合用于电池供电系统中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、无线模块和其他对空间和功耗敏感的应用场合。
该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提高了整体能效。同时，它具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了系统在复杂电磁环境下的可靠性。器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品的严苛工作条件。
型号：UPW2V100MHD
制造商：ROHM
晶体管类型：P沟道
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-6.0A（@Vgs = -4.5V）
脉冲漏极电流（Idm）：-18A
导通电阻（Rds(on)）：10.0mΩ（@Vgs = -4.5V）
导通电阻（Rds(on)）：13.0mΩ（@Vgs = -2.5V）
输入电容（Ciss）：1370pF（@Vds = 10V）
开关时间（开启时间）：15ns
开关时间（关闭时间）：25ns
热阻（Rth(j-a)）：62.5°C/W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOP-8
UPW2V100MHD具备出色的电气特性和热性能，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。在Vgs为-4.5V时，Rds(on)仅为10mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，尤其适用于大电流开关应用。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在Vgs = -2.5V时Rds(on)为13mΩ，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容现代微控制器和电源管理IC的输出电平，无需额外的电平转换电路。
该MOSFET采用ROHM专有的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度。这种结构不仅提高了器件的电流处理能力，还改善了热分布均匀性，防止局部过热导致的早期失效。此外，器件内部集成了体二极管，具有快速反向恢复特性，有助于抑制感性负载关断时产生的电压尖峰，提高系统稳定性。
在可靠性方面，UPW2V100MHD通过了严格的AEC-Q101认证，适用于汽车电子应用。其封装采用环保材料，符合RoHS和无卤素要求，支持回流焊工艺，适应现代SMT生产线。器件还具备良好的抗湿气性能和机械强度，确保在高温高湿环境下长期稳定运行。内置的热关断保护机制可在异常温升时限制电流，防止永久性损坏，提升了系统的安全裕度。
UPW2V100MHD广泛应用于各类需要高效电源控制的电子系统中。在移动设备领域，常用于电池电源的主开关或负载切换，实现待机模式下的零功耗或低功耗运行。其低Rds(on)和小封装使其成为热插拔电路的理想选择，可有效抑制浪涌电流并提供过流保护功能。
在电源管理系统中，该器件可用于同步降压变换器的高端或低端开关，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的场合，能够显著降低传导损耗。此外，它也适用于DC-DC转换模块、LDO旁路开关以及多电源路径管理电路，如主辅电源自动切换。
在工业控制和通信设备中，UPW2V100MHD可用于隔离不同功能模块的供电，实现远程唤醒和节能管理。其快速开关特性支持高频操作，适合PWM调光、电机驱动和LED驱动等应用场景。由于其良好的温度稳定性，也可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车载充电控制单元中，满足汽车电子对可靠性和耐久性的高要求。
