型号：UPW2F4R7MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-14A
　　导通电阻(RDS(on))：47mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：53mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容(Ciss)：约500pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：约180pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：约10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SSLP6
　　安装类型：表面贴装(SMT)

UPW2F4R7MPD的电气与物理特性使其在现代低功耗、高密度电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一，在VGS = -4.5V条件下RDS(on)仅为47mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高电池供电系统的能效至关重要。相比传统P沟道MOSFET，这种低RDS(on)特性意味着更少的发热和更高的能量利用率，特别适用于长时间运行的小型电子设备。
　　其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽栅极技术，有效提升了单位面积内的载流子迁移效率，同时优化了电场分布，增强了器件的击穿耐受能力。这一工艺改进不仅提高了器件的电气性能，还改善了热传导路径，使芯片能够在较高负载下保持稳定的温度表现，延长使用寿命。
　　再者，UPW2F4R7MPD具备优异的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频开关应用中响应迅速，减少了开关过渡期间的能量损耗。这对于采用同步整流或快速启停控制策略的DC-DC变换器尤为重要，有助于提升整体电源转换效率。
　　此外，该MOSFET内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr ≈ 10ns），在感性负载切换或反向电流回流时可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。结合其坚固的封装结构和良好的散热设计，即使在高温环境下也能维持可靠的电气连接和机械强度。
　　最后，UPW2F4R7MPD通过AEC-Q101认证，表明其经过严格的温度循环、高温反偏、湿度敏感度等测试，确保在汽车级严苛条件下的长期可靠性。这使其不仅可用于工业和消费类应用，还能胜任车载信息娱乐系统、传感器电源管理等对安全性和耐久性要求较高的场景。

UPW2F4R7MPD广泛应用于多种需要高效、小型化电源开关解决方案的电子系统中。其典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的外设供电控制，能够实现快速上电和断电，避免浪涌电流对主电源造成冲击。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电回路的通断控制，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长电池续航时间。同时，由于其P沟道结构无需额外的栅极驱动电源，简化了电路设计，降低了整体成本和PCB布局复杂度。
　　在DC-DC转换器特别是降压（Buck）拓扑中，UPW2F4R7MPD常作为高端开关使用，配合控制器实现高效的电压调节。其快速开关特性和低寄生参数有助于提升转换效率，尤其适用于输入电压较低（如3.3V或5V）的嵌入式系统。
　　此外，该器件也适用于热插拔电路、电源多路复用器以及电机驱动中的低端开关控制。在汽车电子领域，它可用于车身控制模块、LED照明驱动和车载充电接口的电源管理单元，满足车规级对可靠性和环境适应性的严格要求。
　　由于其小型化的SSLP6封装，UPW2F4R7MPD非常适合高密度SMT组装工艺，适用于自动化生产流程，提升了制造效率和产品一致性。因此，无论是工业控制、医疗设备还是智能家居终端，只要涉及低压大电流开关控制，该器件都能提供稳定且高效的性能支持。

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　　 "RMLV20P04T101",
　　 "DMG2304U",
　　 "AOZ8230DI"
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