型号：UPW2F221MRD
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：36mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：47mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容（Ciss）：390pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SON1210（1.6mm x 1.2mm）

UPW2F221MRD采用ROHM专有的Trench MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其36mΩ的低RDS(on)在P沟道MOSFET中表现突出，尤其在-4.5V栅极驱动条件下，能显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。该器件在低至-2.5V的栅极电压下仍能保持良好的导通状态（RDS(on)仅为47mΩ），使其非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度并节省成本。器件的阈值电压范围控制在-1.0V至-1.8V之间，确保了稳定的开启行为，同时避免因过早导通而导致的短路风险。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，在高负载条件下仍能维持可靠的工作状态。其封装采用SON1210小型化设计，尺寸仅为1.6mm x 1.2mm，极大节省了PCB空间，特别适用于高度集成的移动设备。封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔有效导出热量，提升长期运行的可靠性。此外，器件的寄生电容（Ciss、Coss、Crss）经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升高频切换时的响应速度与系统稳定性。
　　体二极管的反向恢复时间（trr）仅为18ns，表现出较快的恢复特性，减少了在同步整流等应用中可能出现的反向电流尖峰，从而降低了功耗和噪声。该器件还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。整体而言，UPW2F221MRD在性能、尺寸和可靠性方面达到了高度平衡，是现代低电压、高效率电源管理设计中的理想选择之一。

UPW2F221MRD广泛应用于各种便携式电子设备中的电源管理电路，尤其是在需要高效能、小体积解决方案的场合。典型应用包括智能手机和平板电脑中的电池供电路径管理、电源开关和负载切换电路。在这些设备中，该MOSFET常被用作高端开关，控制主电源的通断，实现待机模式下的零功耗或低功耗运行。此外，它也适用于各类低电压DC-DC转换器，特别是同步降压（Buck）转换器中作为上管使用，利用其低导通电阻来减少传导损耗，提升转换效率。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环等对空间和功耗极为敏感的产品中，UPW2F221MRD的小型封装和低静态电流特性使其成为理想的功率开关元件。它还可用于USB电源开关、充电管理模块以及电池保护电路中，提供可靠的电流控制和过流保护功能。在工业和消费类电子产品中，该器件可用于电机驱动、LED背光控制、传感器供电开关等场景，实现精确的电源分配与节能控制。
　　由于其兼容3.3V逻辑电平的能力，UPW2F221MRD可以直接由微控制器的GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换器或驱动IC，简化了电路设计并降低了物料成本。在多路电源管理系统中，多个此类MOSFET可以并联使用以增加电流容量，或独立控制不同子系统的供电状态，实现精细化的电源管理策略。总之，该器件凭借其高性能和紧凑设计，已成为现代低功耗电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

DMG2305UX-7
　　SI2301ADS-T1-E3
　　FDS6670A