类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：8.3A
　　脉冲漏极电流（Idm）：30A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（Vgs=2.5V）
　　栅极电荷（Qg）：7.5nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：420pF（Vds=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　反向恢复时间（trr）：15ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：Surface Mount (可能为S-Mini或类似小型化封装)

UPW2F010MPD具备优异的导通性能和快速开关响应能力，其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V条件下仅为10mΩ，显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提升了系统整体效率。该器件采用了罗姆专有的沟槽结构设计，有效减小了单位面积下的电阻值，同时通过优化芯片布局和制造工艺，实现了低寄生参数和高电流密度。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动电路所需的功耗更低，特别适合高频开关电源应用。
　　在热性能方面，UPW2F010MPD的封装设计具有良好的散热能力，能够在有限的空间内有效传导热量，避免因局部过热导致器件失效。其工作结温最高可达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，增强了在瞬态过压和浪涌电流条件下的可靠性。此外，其快速的开启和关断延迟时间（分别为8ns和15ns）使其适用于需要高动态响应的PWM控制场景，如同步整流和负载切换。
　　UPW2F010MPD在制造过程中遵循严格的品质管控标准，符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试，因此不仅可用于消费类电子产品，也可应用于汽车电子中的低压电源管理系统。其小型化封装形式有助于实现高密度PCB布局，同时保持良好的电气隔离和机械稳定性。综合来看，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是现代高效能电源设计中的优选方案之一。

UPW2F010MPD广泛应用于各类需要高效、低损耗功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC降压转换器，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元，用于实现电池到核心处理器或外围电路的电压调节。此外，该器件也常用于同步整流型开关电源，替代传统二极管以降低整流损耗，提高转换效率。在电池管理系统（BMS）中，UPW2F010MPD可用于充放电路径的通断控制，提供低导通电阻以减少能量损耗并延长电池续航时间。
　　该器件同样适用于负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。在电机驱动应用中，尤其是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，UPW2F010MPD可作为低端或高端开关使用，凭借其快速响应和低损耗特性提升驱动效率。此外，在LED背光驱动和恒流源电路中，该MOSFET可用于精确的电流调节与开关控制。工业控制领域中，该器件可用于PLC模块、传感器供电电路和隔离电源的开关部分。由于其具备一定的车规认证背景，也可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制或辅助电源模块等汽车电子应用。

DMG2302UK-7
　　AO2413
　　Si2302DS
　　FDMC86281