型号：UPW2E4R7MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-2.5A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　导通电阻（RDS(on)）：47mΩ @ VGS = -4.5V；60mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC
　　输入电容（Ciss）：约220pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN1010D-3 (1.0 x 1.0mm)
　　功率耗散（PD）：500mW
　　通道数：单通道
　　极性：P沟道
　　是否符合RoHS：是
　　是否通过AEC-Q101认证：是

UPW2E4R7MPD的核心优势在于其卓越的低导通电阻与小型化封装的完美结合，使其成为现代便携式电子设备中理想的开关元件。其最大RDS(on)在-4.5V栅压下仅为47mΩ，在-2.5V时也仅为60mΩ，这意味着即使在低驱动电压条件下也能保持较高的导通效率，显著降低传导损耗，延长电池寿命。这一特性尤其适用于智能手机、TWS耳机、智能手表和其他对空间和能效要求严苛的应用场景。
　　该器件采用ROHM独有的沟槽结构设计，有效提升了载流子迁移率并减小了芯片尺寸，从而实现了优异的电流密度与热稳定性。同时，其低栅极电荷（Qg ≈ 3.5nC）和低输入电容（Ciss ≈ 220pF）确保了快速的开关响应能力，减少了动态损耗，提高了高频工作的可行性。这对于同步降压变换器或负载开关中的高速启停控制至关重要。
　　UPW2E4R7MPD的栅源阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，属于典型的逻辑电平兼容型P-MOSFET，可以直接由3.3V或1.8V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。此外，其-20V的漏源击穿电压足以覆盖大多数低压直流系统（如5V、3.3V、2.5V等）的安全裕量需求。
　　封装方面，DFN1010D-3是一种无引脚、底部散热的超小型封装，尺寸仅为1.0mm × 1.0mm × 0.5mm，极大节省了PCB面积，非常适合高密度组装。该封装具有较低的热阻（θJA），有助于将内部产生的热量高效传递至PCB，避免局部过热导致性能下降或可靠性问题。ROHM还建议在PCB设计中增加足够的铜箔区域以增强散热效果。
　　值得一提的是，UPW2E4R7MPD通过了AEC-Q101车规级认证，意味着它经历了严格的温度循环、高温反偏、高压应力测试等一系列可靠性验证，能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。因此，除了工业与消费类应用外，该器件还可用于车载信息娱乐系统、传感器电源管理模块或车身控制单元中的低边开关功能。

UPW2E4R7MPD广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的各种电子系统中。典型用途包括便携式移动设备中的负载开关，用于控制不同功能模块（如显示屏、摄像头、无线模块）的供电通断，实现按需供电以节约能耗。在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护电路，防止因电池安装错误导致主电路损坏，提升产品安全性。
　　在DC-DC转换器拓扑中，UPW2E4R7MPD常作为同步整流器或高端/低端开关使用，尤其是在非隔离式降压（Buck）转换器中发挥关键作用。其低RDS(on)和快速开关特性有助于提高转换效率，减少发热，满足能源之星或类似能效标准的要求。
　　此外，该器件适用于各种逻辑控制的电源切换场合，例如多电源选择电路（如USB与电池之间的切换）、热插拔控制、上电时序管理等。由于其支持表面贴装工艺且体积微小，特别适合自动化生产流程，广泛用于TWS耳机充电仓、可穿戴设备主板、物联网终端节点等高度集成的产品中。
　　在汽车电子领域，UPW2E4R7MPD可用于车身电子模块中的低功率电源管理，如车窗控制、门锁驱动、仪表盘背光调节等功能的电源开关部分。其通过AEC-Q101认证的事实进一步增强了其在车载环境下的适用性和可信度。

DMG2305U-7
　　AOA4125
　　Si2301DS
　　FDC630P
　　TPSMB10P