时间：2025/10/8 3:52:09
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UPW2A221MHD是一款由Panasonic（松下）公司生产的高性能多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于其UPW系列，专为需要高稳定性和低损耗的高频应用而设计。UPW系列电容器采用了先进的材料和制造工艺，确保了在高频工作条件下的优异性能表现。UPW2A221MHD的标称电容值为220μF，额定电压为100V DC，适用于要求严格、对电容稳定性和可靠性有较高需求的应用场合。该电容器采用表面贴装技术（SMT）封装，具有较小的体积和较高的安装密度，适合现代电子产品小型化、轻量化的设计趋势。此外，其结构设计优化了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提高了在高频环境下的滤波和去耦能力。
UPW2A221MHD具备良好的温度稳定性，通常可在-55°C至+125°C的宽温范围内正常工作，使其适用于严苛的工业、汽车及通信环境。该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品的环保要求。由于其出色的电气特性和机械可靠性，UPW2A221MHD广泛应用于电源管理单元、DC-DC转换器、射频模块以及高性能计算设备中，作为关键的储能和滤波元件。
电容值：220μF
额定电压：100V DC
电容容差：±20%
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
温度特性：X7R
封装类型：表面贴装（SMD）
尺寸（长x宽）：约7.3mm x 5.3mm（具体以厂商规格书为准）
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
老化率：≤2.5%每1000小时
直流偏压特性：良好，在额定电压下电容下降可控
耐湿性：符合IEC 61249-2-21标准
可焊性：符合J-STD-020标准
UPW2A221MHD的最大特性之一是其在高频条件下仍能保持稳定的电容性能和极低的等效串联电阻（ESR），这使得它在高频去耦和电源噪声抑制方面表现出色。传统的大容量电容器往往在高频时因寄生电感和电阻增加而导致性能下降，但UPW2A221MHD通过优化内部电极结构和材料选择，显著降低了ESL和ESR，从而提升了高频响应能力。这种特性使其特别适用于高速数字电路中的局部电源去耦，例如在微处理器、FPGA或ASIC的供电引脚附近使用，能够有效吸收瞬态电流波动，维持电压稳定。
其次，该电容器采用X7R类陶瓷介质，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+125°C），且在整个温度区间内电容变化率控制在±15%以内，表现出良好的热稳定性。这对于工作环境温度变化剧烈的应用（如汽车电子、工业控制系统）至关重要。同时，X7R材料还具备较低的老化速率，确保长期使用的电性能一致性。
第三，UPW2A221MHD具备优异的机械强度和抗热冲击能力。其结构设计能够承受多次回流焊过程而不产生裂纹或性能退化，适合自动化SMT生产线。此外，该器件对湿度不敏感，减少了存储和装配过程中的失效风险。
最后，该电容器具有较高的额定电压（100V）与大容量（220μF）的结合，能够在有限空间内提供较强的储能能力，适用于高功率密度电源系统。相比电解电容或钽电容，它没有极性，避免了反向电压导致的损坏问题，同时寿命更长、可靠性更高。
UPW2A221MHD广泛应用于对电源质量和信号完整性要求较高的电子系统中。在通信设备领域，该电容器常用于基站射频模块、光模块和路由器中的电源去耦网络，用于滤除高频噪声并稳定供电电压，从而提升信号传输的稳定性和抗干扰能力。在高性能计算平台中，如服务器主板、GPU供电电路和DDR内存电源轨，UPW2A221MHD可作为中间储能电容，配合其他小容量MLCC形成多级滤波结构，有效降低电源阻抗，应对快速负载变化带来的电压跌落问题。
在工业自动化和电机驱动系统中，该器件可用于变频器、PLC控制器和工业电源模块中，承担电源旁路和瞬态响应支持功能。其宽温特性和高可靠性确保在高温、振动等恶劣环境下依然稳定运行。在汽车电子方面，UPW2A221MHD适用于ADAS系统、车载信息娱乐系统和电动助力转向（EPS）等模块，满足AEC-Q200等车规级可靠性标准，保障行车安全。
此外，在医疗电子设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，由于这些领域对元器件的长期稳定性、低失效率和高精度有严格要求，UPW2A221MHD凭借其高品质和一致性，也成为优选的去耦和滤波元件。总之，凡是在高频、高可靠性、宽温环境下需要大容量陶瓷电容的场景，UPW2A221MHD都能发挥重要作用。
GRM32DR71H224KA88L
C322C224K1R5TA
TC-322512-X7R-224K-100V
CL31B224KBHNNNE
