时间：2025/10/8 5:15:49
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UPW2A100MED是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电池供电设备和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，优化了导通电阻和开关性能，能够在低电压控制条件下实现高效的功率切换。UPW2A100MED的封装形式为S-Mini3（双引脚），属于小型化表面贴装封装，非常适合对空间要求较高的便携式电子设备设计。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类嵌入式系统中的电源路径控制。
该器件的栅极阈值电压较低，允许使用3.3V或更低的逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，UPW2A100MED具有出色的抗静电能力（ESD保护）和稳健的短路耐受能力，增强了在复杂电磁环境下的工作稳定性。其P沟道结构在高边开关应用中表现出色，特别适合用于电池反接保护、热插拔控制和电源多路复用等拓扑结构。
型号：UPW2A100MED
制造商：ROHM
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-1.7A
导通电阻RDS(ON)：135mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(ON)：180mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻RDS(ON)：220mΩ @ VGS = -1.8V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：约320pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini3 (2引脚)
极性：P沟道
UPW2A100MED采用了ROHM专有的高性能沟槽结构技术，显著降低了导通电阻，同时保持了良好的开关速度与热稳定性。这种设计使得器件在低电压驱动条件下仍能维持较小的导通损耗，提升整体能效。其低RDS(ON)特性对于电池供电系统尤为重要，可以减少发热并延长设备运行时间。该MOSFET支持多种栅极驱动电压，包括1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平，兼容现代微控制器和数字信号处理器的输出电平，便于直接连接而无需外加驱动电路。
该器件具有优异的热性能，得益于其优化的芯片布局和S-Mini3封装的散热设计，在有限的空间内实现了较高的功率密度。即使在满载电流下长时间运行，也能保持稳定的电气性能。此外，UPW2A100MED内置一定的ESD保护机制，能够承受人体模型（HBM）超过2000V的静电放电冲击，提高了生产过程中的良品率和现场使用的可靠性。
在安全性和鲁棒性方面，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和短时过载承受能力，可在瞬态异常情况下避免立即失效。其P沟道结构特别适用于高边开关配置，当用于电池管理系统时，可以在检测到故障时迅速切断主电源路径，起到保护后级电路的作用。同时，由于其开关速度快，延迟时间短，可用于高频启停控制场合，如动态电源门控和节能模式切换。
UPW2A100MED还通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其不仅适用于工业和消费类应用，也可用于汽车电子系统中对可靠性和环境适应性要求较高的模块，例如车载信息娱乐系统、传感器电源管理和车身控制单元。综合来看，该器件是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的先进P沟道MOSFET产品。
UPW2A100MED广泛应用于需要高效、小型化电源开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现待机或关机功能；在热插拔电路中作为负载开关，防止上电瞬间的浪涌电流损坏系统；还可用于多电源选择电路中，实现不同电源之间的无缝切换，例如在主电池与备用电池之间进行自动切换。
在智能手机和平板电脑中，该器件常被用作显示屏背光电源控制、摄像头模块供电开关或音频子系统的电源管理单元。由于其支持低电压逻辑驱动，非常适合与应用处理器或电源管理IC协同工作，执行精细化的功耗管理策略。
此外，该MOSFET也适用于工业手持设备、医疗监测仪器、物联网终端节点等对尺寸和功耗敏感的应用领域。在这些系统中，UPW2A100MED帮助实现快速响应的电源控制，支持睡眠模式和唤醒机制，从而显著降低待机功耗。其高可靠性也使其可用于汽车电子中的非动力总成类模块，如车窗控制、座椅调节或车内照明系统的电源驱动部分。
AP2302GN\AP2302G\SI2302DS\DMG2302U
