时间：2025/9/19 18:33:12
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UPW25B50RV是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅极和双扩散制造工艺，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中实现更低的导通损耗和开关损耗。UPW25B50RV特别适用于空间受限但对效率和热性能有较高要求的设计，例如便携式电子设备、工业控制系统和消费类电子产品中的电源模块。
该MOSFET封装在小型化的PowerSSM（PSSMN1）封装中，具有出色的散热性能和紧凑的占位面积，有助于减少PCB布局空间并提升系统集成度。其引脚兼容性设计也便于替代其他同类器件，提升了设计灵活性。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌能力和可靠性，适合在严苛环境下稳定运行。
型号：UPW25B50RV
极性：N沟道
漏源电压VDS：50V
连续漏极电流ID：14A
脉冲漏极电流IDM：56A
栅源电压VGS：±20V
导通电阻RDS(on) max：25mΩ @ VGS = 10V
导通电阻RDS(on) max：30mΩ @ VGS = 4.5V
栅极电荷Qg typ：10nC @ VDS = 40V, ID = 7A
输入电容Ciss typ：420pF
开启延迟时间td(on) typ：8ns
关断延迟时间td(off) typ：18ns
工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerSSM (PSSMN1)
安装类型：表面贴装SMD
UPW25B50RV具备优异的电气性能和热稳定性，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提高了整体系统效率。在VGS为10V时，最大导通电阻仅为25mΩ，确保在重载条件下仍能保持较低温升。此外，在4.5V栅极驱动电压下，RDS(on)仍可控制在30mΩ以内，使其兼容低压逻辑控制信号，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的应用场景。
该器件采用了ROHM专有的沟道设计技术，有效提升了载流子迁移率，同时优化了器件的安全工作区（SOA），增强了抗雪崩能力和短路耐受能力。其较小的栅极电荷（Qg typ 10nC）意味着驱动功耗更低，有利于提高开关频率并减小外围滤波元件的尺寸。输入电容仅为420pF左右，进一步降低了高频应用中的动态损耗。
PowerSSM封装不仅体积小巧，还通过优化内部引线结构和热传导路径，实现了比传统SOT-23或SOP封装更佳的散热表现。这种封装形式支持回流焊工艺，适合自动化生产流程。器件还具备良好的抗湿性和机械强度，能够在复杂环境条件下长期可靠运行。所有材料均符合无铅和卤素限制要求，满足现代绿色电子产品设计规范。
UPW25B50RV常用于各类高效开关电源系统，如同步整流DC-DC降压变换器、负载开关、电池供电设备的电源管理单元以及电机驱动电路。其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于便携式设备中的电压调节模块，例如智能手机、平板电脑和移动电源等。此外，在LED背光驱动、USB电源开关及热插拔保护电路中也有广泛应用。
由于其优异的瞬态响应和低静态功耗，该器件也被用于工业传感器、智能仪表和IoT终端设备的电源控制部分。在电机控制领域，UPW25B50RV可用于H桥电路中的低端开关，提供高效的正反转控制能力。其小型化封装特别适合对空间敏感的应用，帮助工程师实现更高密度的电路设计。
UPH25B50RG
