电容值：100μF
　　额定电压：16V DC
　　电介质材料：X5R
　　温度特性：±15%（-55°C 至 +85°C）
　　尺寸代码（公制）：3216
　　尺寸代码（英制）：1210
　　长度：3.2mm ±0.3mm
　　宽度：1.6mm ±0.2mm
　　厚度：1.6mm ±0.2mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100s
　　耐久性：在额定电压和+85°C环境下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-15%～+15%
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（具体取决于频率和测试条件）
　　等效串联电感（ESL）：极低，适合高频去耦应用

UPV1C101MGD1TD作为ROHM UPV系列的高性能多层陶瓷电容器，具备出色的电容密度与稳定性，在同类产品中处于领先地位。其核心优势之一是采用了高纯度、细晶粒的镍内电极材料（Ni-electrode）与先进的陶瓷介质配方，实现了在小型封装下高达100μF的电容值，显著提升了单位体积内的储能能力。这种设计有效替代了传统钽电容或铝电解电容，在避免极性错误、降低漏电流及提高可靠性方面具有明显优势。X5R电介质材料保证了电容器在宽温度范围内（-55°C至+85°C）的容量稳定性，其容差控制在±15%以内，远优于Y5V等普通介质材料，适用于对电源噪声敏感的模拟和数字电路。
　　该器件还具备极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频开关电源、DC-DC转换器输出滤波以及高速数字IC的旁路去耦应用中表现卓越。低ESR有助于减少纹波电压并提高电源效率，同时降低因焦耳热引起的温升，延长系统寿命。此外，其非极性结构避免了反向电压导致的击穿风险，增强了系统安全性。
　　UPV1C101MGD1TD通过严格的AEC-Q200汽车级认证，具备优良的抗机械应力和热冲击性能，能够承受回流焊过程中的高温循环而不产生裂纹。其端电极采用三层电镀结构（Cu/Ni/Sn），提高了可焊性和长期环境耐受性，防止因硫化或潮湿引发的接触不良。整体设计符合无铅焊接工艺要求，支持现代绿色制造流程。此外，该电容器具有优异的降噪特性，可用于抑制EMI干扰，提升信号完整性，特别适合用于智能手机、平板电脑、无线模块和车载信息娱乐系统等高密度集成电子产品。

UPV1C101MGD1TD广泛应用于各类需要高电容值、小体积和高可靠性的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦与储能元件，用于平滑DC-DC转换器输出电压并抑制电源噪声。在通信领域，该电容器常用于射频模块、Wi-Fi/BT模组以及基站前端电路中，作为旁路电容以稳定供电电压，提升信号质量。在工业控制系统中，它被部署于PLC控制器、传感器模块和人机界面设备的电源管理部分，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　由于其通过AEC-Q200认证，该器件也适用于汽车电子系统，例如车载导航、ADAS辅助驾驶模块、车身控制单元（BCM）和电动座椅控制系统中的滤波与稳压电路。在计算机外围设备如SSD固态硬盘、内存条和嵌入式主板上，UPV1C101MGD1TD可用于CPU核心供电网络的去耦，有效降低高速运算时产生的电压波动。此外，在医疗电子设备、无人机电源管理系统以及智能家居控制板中也有广泛应用。得益于其宽温区工作能力和出色的长期稳定性，该电容器能够在恶劣环境条件下持续提供可靠的电性能支持，满足高端电子系统对小型化与高性能兼顾的需求。

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