时间：2025/10/6 19:03:20
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UPTW6560MHD是一款由UTC（友顺科技）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术设计，专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电流和低导通电阻的功率应用而优化。该器件具有优异的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费类电子及电源管理系统等多种场景。UPTW6560MHD封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合在较高功率密度环境下使用。其主要优势在于低栅极电荷、快速开关响应以及较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。此外，该MOSFET内部结构经过优化，能够有效抑制寄生参数带来的负面影响，从而减少电磁干扰并提高电路稳定性。由于其高耐压特性与强载流能力，UPTW6560MHD广泛应用于笔记本适配器、LED驱动电源、同步整流电路以及电池管理模块中。该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全与可靠性认证，确保在严苛工作条件下仍能保持长期稳定运行。
型号：UPTW6560MHD
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压VDS：650V
连续漏极电流ID（@25℃）：6.0A
脉冲漏极电流IDM：24A
栅源电压VGS：±30V
导通电阻RDS(on)（@VGS=10V）：≤1.0Ω
导通电阻RDS(on)（@VGS=5V）：≤1.3Ω
阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V
输入电容Ciss：680pF（@VDS=25V）
输出电容Coss：110pF（@VDS=25V）
反向恢复时间trr：35ns
功耗PD：50W（Tc=25℃）
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
UPTW6560MHD具备出色的电气性能和热管理能力，其核心特性之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为1.0Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。尤其是在大电流工作的条件下，这种低阻抗表现能够有效减少发热，延长器件寿命。
该MOSFET采用高压工艺制造，支持高达650V的漏源击穿电压，使其适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和LLC谐振变换器等。其较高的电压耐受能力也增强了系统在瞬态过压情况下的鲁棒性，减少了因电压尖峰导致的失效风险。
器件的栅极电荷Qg较低，典型值约为35nC（@VGS=10V），这意味着驱动电路所需的能量更少，不仅简化了栅极驱动设计，还提升了开关频率上限，有利于实现小型化和高频化电源设计。同时，较低的输入电容和输出电容进一步减少了开关过程中的充放电损耗，加快了开关速度，从而降低开关导通与关断过程中的能量损耗。
UPTW6560MHD的封装采用TO-252形式，具有优良的散热性能，底部金属焊盘可直接连接至PCB大面积铜箔进行散热，有效降低热阻，提升功率承载能力。该封装还具备较强的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴装工艺，广泛应用于现代SMT生产线。
此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，在异常工况下仍能维持一定时间的安全运行，提升了系统的安全性与可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）使其可在高温工业环境或低温户外设备中稳定工作，适应性强。综合来看，UPTW6560MHD是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适合对能效和稳定性有较高要求的应用场合。
UPTW6560MHD广泛用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源等领域表现出色。其高耐压与低导通电阻特性使其成为反激式开关电源初级侧开关的理想选择，能够在高输入电压下实现高效能量转换。
在DC-DC转换器应用中，无论是升压、降压还是升降压拓扑，该器件均可作为主开关管使用，尤其适用于同步整流架构中的整流元件，利用其低RDS(on)减少续流阶段的损耗，显著提升转换效率。
此外，该MOSFET也可用于电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，凭借其快速开关响应和高电流承载能力，确保电机启动平稳、运行高效。
在工业控制设备中，如PLC模块、继电器驱动单元或电源模块中，UPTW6560MHD可用于电源开关或负载切换，提供稳定的功率控制能力。
由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件还可应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求较高的领域。其TO-252封装便于安装散热片，适合持续高负载运行环境。总体而言，UPTW6560MHD是一款通用性强、适用范围广的高压功率MOSFET，满足多样化电力电子系统的性能需求。
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APW6560MHD
STP6NK60ZFP
FQP6N60C
KIA6N60
