型号：UPS2E221MRD
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS = -4.5V）；30mΩ（@VGS = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：730pF（@VDS = -10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS = -10V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：UMT3（SOT-23F）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UPS2E221MRD具备出色的电气性能和可靠性，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件在-4.5V栅极驱动电压下可实现仅22mΩ的RDS(on)，而在更低的-2.5V驱动条件下仍能保持30mΩ的低阻值，这使其非常适合用于由3.3V或甚至2.5V逻辑信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。这种低阈值特性不仅简化了设计复杂度，还减少了外围元件数量，有助于缩小PCB面积并降低成本。
　　该MOSFET采用P沟道结构，在高边开关配置中具有天然优势。当用于电源开关或负载开关时，只需将栅极拉低即可导通，而栅极为高电平时则关断，控制逻辑简单直观。此外，其-4.4A的连续漏极电流能力足以支持大多数中等功率负载的需求，如LCD偏压电源、LED背光驱动、USB电源开关等。器件的输入和输出电容较低，有助于减少开关过程中的动态损耗，并提升开关速度，从而进一步优化能效表现。
　　在热性能方面，尽管采用小型SOT-23F封装，UPS2E221MRD仍具备良好的散热能力，结合合理的PCB布局设计（如增加铜箔面积），可在高温环境下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在严苛工业环境或高温工作条件下的长期可靠性。此外，该器件具有较强的抗静电能力（HBM ESD耐压典型值可达±2000V），提升了在生产和使用过程中的鲁棒性，降低了因静电损伤导致的失效风险。整体而言，UPS2E221MRD是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，特别适合对尺寸、效率和成本敏感的现代电子设备。

UPS2E221MRD广泛应用于各类需要高效电源开关控制的便携式和嵌入式电子设备中。典型应用场景包括移动电话、平板电脑、数码相机等手持设备中的电池电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或系统复位功能。在这些设备中，它常被用作高边负载开关，配合微控制器的GPIO引脚实现对显示屏、摄像头模组或无线通信模块的独立供电控制。
　　此外，该器件也适用于各种DC-DC转换器的同步整流或辅助开关电路，尤其是在低电压输入（如3.3V或5V）系统中，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在工业控制领域，UPS2E221MRD可用于PLC模块、传感器供电单元或小型继电器驱动电路中的电源切换，提供快速响应和低静态功耗的表现。由于其封装小巧且支持表面贴装工艺，因此非常适合自动化生产流程，广泛用于消费类电子产品的大批量制造。
　　另一个重要应用是USB电源开关，特别是在带有过流保护或热插拔功能的USB接口设计中，UPS2E221MRD可以作为主开关元件，控制Vbus线路的通断，防止短路或过载对主机电源造成影响。同时，其快速的开关特性和低漏电流特性也有助于满足USB规范对电源管理的要求。在LED照明控制系统中，该器件可用于调节LED串的供电通断，实现调光或故障保护功能。总之，凡是需要低电压驱动、小尺寸封装和高效率开关控制的场合，UPS2E221MRD都是一个理想的选择。

DMG2305UX-7
　　Si2301DS
　　FDS6679