型号：UPS1E331MPD
　　制造商：Renesas Electronics (formerly NEC)
　　器件类型：N-Channel Power MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：70A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ @ VGS=10V, ID=8.5A
　　导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ @ VGS=4.5V, ID=8.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷(Qg)：29nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：2030pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：690pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：24ns
　　二极管正向电流(IS)：17A
　　功耗(PD)：2.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package

UPS1E331MPD采用了先进的沟道设计与低阻抗封装技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了在大电流应用中的功率损耗。其在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.3mΩ，在同类器件中处于领先水平，这使得它非常适合用于需要高效能量转换的同步整流或负载开关场景。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg=29nC），意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并提高开关频率，进而减小外围电感和电容的体积，实现更高密度的电源解决方案。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。SOP-8 Power Package封装不仅提供了良好的电气连接，还通过裸露焊盘（exposed pad）增强了散热能力，允许将热量直接传导至PCB地层，有效控制结温上升。这种设计使其能够在有限的散热条件下维持长时间稳定运行，提升了系统的长期可靠性。同时，该MOSFET具有较高的输入阻抗和快速的开关响应速度，能够实现纳秒级的上升和下降时间，减少开关过程中的交越损耗。
　　UPS1E331MPD内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=24ns），可在桥式电路或续流路径中提供可靠的性能表现，避免因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题。此外，该器件对雪崩能量有一定的耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也确保了在极端环境温度下仍能正常工作，适用于工业级和消费类多种应用场景。综合来看，这些特性使UPS1E331MPD成为高性能、高可靠性的理想选择。

UPS1E331MPD主要用于各类需要高效、低损耗功率开关的电子系统中。常见应用包括同步降压转换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（Voltage Regulator Module）架构中作为上管或下管使用，为CPU、GPU等高性能处理器提供稳定的低压大电流供电。由于其低RDS(on)和高电流承载能力，它也能有效降低导通损耗，提升电源效率。
　　在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离或非隔离拓扑结构中的主开关元件，尤其适合用于中间总线转换器（IBC）或POL（Point-of-Load）调节器。其快速开关特性支持高频操作，有助于缩小磁性元件和滤波电容的尺寸，满足现代电子设备小型化的需求。
　　此外，UPS1E331MPD还可应用于电机驱动电路，如无人机电调、电动工具控制板或小型伺服系统中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件。其高脉冲电流能力（IDM=70A）可应对启动或堵转时的大电流冲击，保障系统安全运行。
　　在电池管理系统（BMS）或便携式设备中，该MOSFET可用作充放电控制开关或负载开关，利用其低静态功耗和高开关速度实现精确的电源通断控制。其他应用场景还包括LED驱动电源、热插拔控制器、USB PD快充电源适配器以及通信设备中的电源子系统等。凭借其高可靠性与广泛的适用性，UPS1E331MPD已成为许多高端电源设计中的核心元器件之一。

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　　 "UPA1E331TDMG",
　　 "RJK03B5DPB",
　　 "AOZ1282CI",
　　 "SiSS110DN",
　　 "FDMS7680"
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