类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　漏极电流（Id）：8.5 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：21 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　导通电阻（Rds(on)）：27 mΩ @ Vgs = 2.5 V
　　功率耗散（Ptot）：3.6 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：PowerFLAT 5x6 mm

UPRND21KFC6 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件在 Vgs = 4.5 V 时的 Rds(on) 仅为 21 mΩ，在更低的栅极电压（如 2.5 V）下也能保持较低的导通电阻（27 mΩ），这使其适用于低电压驱动电路，如由微控制器直接驱动的场合。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽式栅极结构，提升了导通性能和开关速度，同时降低了开关损耗。其 20 V 的漏源电压额定值适用于多种低压功率应用，例如 12 V 或 5 V 供电系统的功率开关和负载管理。
　　UPRND21KFC6 的 PowerFLAT 5x6 mm 封装不仅体积小巧，而且具有优异的热管理能力，有助于提高器件在高功率密度设计中的可靠性。该封装还支持双面散热，适用于需要良好散热性能的设计，如 DC-DC 转换器、电池管理系统和 LED 驱动电路。
　　此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行，适用于工业环境和车载应用。

UPRND21KFC6 主要应用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效能、低导通损耗和紧凑设计的场合。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、LED 照明驱动器、便携式设备电源管理以及各类低电压功率开关电路。
　　在同步整流应用中，UPRND21KFC6 可作为高效低边或高边开关，用于提高转换效率并减少热量产生。在负载开关应用中，它可用于控制电源分配，实现快速开关和过流保护。在电机控制和 LED 驱动电路中，该器件可提供稳定的电流切换能力，确保系统运行的稳定性和可靠性。
　　由于其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，UPRND21KFC6 也非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和无线充电系统中的功率级设计。

IPD90P03P4-03, BSC021N04LS5, FDS6680, FDMS86180