型号：UPM2F470MHD
　　制造商：Unipower
　　器件类型：N沟道增强型功率MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：470V
　　连续漏极电流（ID @25°C）：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（Rds(on) @ VGS=10V）：≤1.2Ω
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F
　　栅极电荷（Qg）：65nC
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns

UPM2F470MHD具备优异的静态与动态电气特性，使其在中高压功率应用中表现出色。其最重要的特性之一是低导通电阻（Rds(on) ≤ 1.2Ω @ VGS=10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率，尤其在大电流持续工作的场景中效果明显。该器件采用了优化的芯片工艺，在保证高击穿电压的同时实现了较低的Rds(on)，体现了良好的“品质因数”（Figure of Merit, FOM = Rds(on) × Qg）性能，有助于实现高频开关操作下的能效平衡。
　　其次，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的最大功耗（125W），得益于其TO-220F封装提供的优良散热路径，能够在高温环境下长时间稳定运行。其工作结温可达+150°C，支持在严苛工业环境中使用。同时，器件具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感负载突变或过压冲击，提高了电源系统的安全裕度。
　　在开关特性方面，UPM2F470MHD拥有较快的开关速度，栅极电荷（Qg）仅为65nC，输入电容（Ciss）为1100pF，使得驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低控制芯片的负担。输出电容（Coss）为350pF，反向恢复时间（trr）为45ns，表明体二极管的恢复特性相对良好，可减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　此外，该器件的栅源阈值电压（VGS(th)）在3.0V至4.0V之间，属于标准驱动电平范畴，兼容大多数PWM控制器的输出信号，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。其封装形式为TO-220F，带有绝缘片安装方式，适用于需要电气隔离的电源模块设计。整体而言，UPM2F470MHD是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET，适用于多种拓扑结构如反激、正激、半桥及LLC谐振变换器等。

UPM2F470MHD主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要400V以上母线电压的场合表现突出。典型应用包括：AC-DC开关电源（SMPS），如台式机电源、服务器电源、工业电源模块等，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用，承担能量传递和电压变换的核心任务。由于其470V的击穿电压设计，特别适用于PFC（功率因数校正）升压电路中的开关元件，能够有效提升电源的功率因数并满足能效标准要求。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于隔离型拓扑如正激、反激或半桥结构，特别是在中等功率范围（100W~500W）的应用中，凭借其低导通损耗和良好的热性能，能够实现高效率的能量转换。此外，它也适用于非隔离式升降压（Buck-Boost）电路，用于电池管理系统或太阳能充电控制器中。
　　在电机驱动领域，UPM2F470MHD可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，作为上下桥臂开关元件，控制电机的启停、转向和调速。其快速开关能力和较高的电流承载能力有助于实现精确的PWM调制控制。
　　其他应用还包括LED恒流驱动电源、逆变器（如太阳能微逆变器）、UPS不间断电源、家电变频模块（如空调、洗衣机）以及工业自动化设备中的电源模块。由于其符合RoHS标准且具备良好的长期可靠性，也被广泛用于出口型电子产品和工业级设备中。

SPM2F470MHD
　　APM2F470MHD
　　STP4NK47ZFP
　　FQP4N47