时间：2025/10/7 5:12:09
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UPM2C010MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于需要高效率和低功耗的电源管理应用。该器件专为电池供电设备和便携式电子产品中的负载开关、电源控制及放电通路等场景而优化。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、高可靠性以及良好的热稳定性，能够在较小的封装尺寸内提供优异的电气性能。UPM2C010MPD采用了先进的沟槽式MOSFET工艺技术，确保在低栅极电压下也能实现充分导通，支持逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，提升了在实际应用中的耐用性和系统安全性。由于其P沟道特性，在许多电源开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现关断控制，简化了外围电路设计并降低了整体成本。这款MOSFET广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和能效有严格要求的消费类电子设备中。
型号：UPM2C010MPD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-1.7A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.4A
导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：100mΩ @ VGS = -2.5V
栅极阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：290pF @ VDS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：UMT3
安装类型：表面贴装(SMT)
UPM2C010MPD具备出色的导通性能和快速开关能力，这得益于其采用的先进沟槽型MOSFET制造工艺。该器件在-4.5V的栅极驱动电压下可实现低至85mΩ的漏源导通电阻，而在更低的-2.5V驱动条件下仍能保持100mΩ的RDS(on)，这一特性使其非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场合，例如由微处理器I/O口或电源管理IC直接控制的负载开关电路。其较低的导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其在电池供电设备中有助于延长续航时间。
该器件具有优良的热稳定性和散热性能，尽管封装体积小巧（UMT3），但通过优化芯片布局和封装材料选择，确保了良好的热传导路径，使得在持续负载条件下也能维持较低的工作温升。此外，UPM2C010MPD内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够在某些特定拓扑中提供可靠的续流路径，同时减少因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题。
P沟道结构的设计优势在于其天然适合高端开关应用，尤其是在电源切断或电池隔离等场景中，仅需将栅极拉高至接近地电位即可关闭器件，从而省去了复杂的电平移位或电荷泵电路，简化了系统设计并节省PCB空间。该器件还具备较强的抗静电（ESD）能力和过压耐受性，符合工业级可靠性标准，能够承受严苛的生产环境和实际使用条件。所有这些特性共同确保了UPM2C010MPD在高密度、高性能便携式电子产品中的长期稳定运行。
UPM2C010MPD广泛应用于各类便携式消费电子产品的电源管理系统中，典型用途包括作为电池供电设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的上电与断电，以实现节能待机或系统休眠模式。例如，在智能手机和平板电脑中，它可以用来控制显示屏背光、摄像头模组或无线通信模块的供电通断，避免不必要的静态电流消耗。此外，该器件也常被用作反向电流阻断二极管的替代方案，在多个电源输入切换电路中防止电流倒灌，提升转换效率并减少发热。
在电源冗余设计或热插拔电路中，UPM2C010MPD可用于实现软启动和浪涌电流抑制，保护后级电路免受冲击。其快速响应特性和可控的开关时序使其适用于需要精确电源时序控制的多电压域系统。另外，由于其封装尺寸小且性能稳定，也非常适合用于可穿戴设备如智能手表、TWS耳机等对空间极为敏感的产品中，承担电源路径管理任务。
在工业和医疗类低功耗设备中，该器件同样表现出色，可用于传感器模块的电源门控、数据采集单元的间歇供电控制等场景，帮助构建高效、可靠的嵌入式系统。总之，凡是需要小型化、低功耗、高集成度电源开关解决方案的地方，UPM2C010MPD都是一个理想的选择。
DMG2301U-7
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