型号：UPM2A820MPD
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压VDS：20 V
　　栅源电压VGS：±12 V
　　连续漏极电流ID：5.7 A（@VGS=4.5V）
　　脉冲漏极电流IDM：17 A
　　导通电阻RDS(on)：8.2 mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压VGS(th)：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容Ciss：530 pF（@VDS=10V）
　　输出电容Coss：190 pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容Crss：40 pF（@VDS=10V）
　　总栅极电荷Qg：6.5 nC（@VGS=4.5V）
　　上升时间tr：8 ns
　　下降时间tf：5 ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：UMPA（双面散热超小型封装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UPM2A820MPD具备出色的导通性能和快速响应能力，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，典型值仅为8.2 mΩ（在VGS=4.5V条件下测量），这使得器件在大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，有效提升系统整体效率。该特性特别适用于电池供电设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的同步整流电路或负载开关应用，能够显著减少发热并延长续航时间。此外，由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，该器件在保持小尺寸的同时实现了优异的载流能力。
　　另一个关键特性是其优化的栅极电荷（Qg）和电容参数。输入电容Ciss为530pF，反向传输电容Crss为40pF，这些较低的电容值意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗并加快了开关速度。这对于高频开关电源（如DC-DC降压变换器）至关重要，因为快速的开关响应可以减小外围元件（如电感和电容）的体积，进而实现更高的功率密度。同时，较低的Crss也有助于抑制米勒效应，提高器件在高速开关过程中的抗干扰能力，防止误触发。
　　UPM2A820MPD还具备良好的热管理性能，得益于其独特的双面散热UMPA封装结构，热量不仅可以通过PCB底部传导，还能通过顶部金属焊盘向上散发，极大增强了散热效率。这种设计允许器件在有限的PCB面积下处理更高功率的应用，避免因局部过热导致性能下降或失效。此外，该MOSFET支持-55°C至+150°C的宽工作结温范围，具备较强的环境适应性，适用于工业级和消费级多种严苛应用场景。其栅极阈值电压较低（0.6~1.0V），兼容低压逻辑信号控制，便于与现代低电压微控制器或电源管理IC直接接口，无需额外电平转换电路。

UPM2A820MPD广泛应用于需要高效能、小尺寸和良好热性能的电源系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和电源隔离。在同步整流型DC-DC转换器中，它可作为低边或高边开关使用，尤其适合3.3V或5V转更低电压（如1.8V、1.2V）的降压拓扑，提供高效率的能量转换。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制，以及小型电机驱动电路中的功率开关角色。
　　在移动设备领域，如智能手机和平板电脑中，UPM2A820MPD可用于相机模组、显示屏背光或传感器模块的电源控制，利用其低静态功耗和快速响应特性实现精准的电源管理。其双面散热封装特别适合高集成度主板布局，能在不增加额外散热措施的情况下维持稳定运行。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于小型继电器替代方案或信号切换电路，提供无机械磨损的固态开关解决方案。
　　此外，UPM2A820MPD也可用于USB供电路径管理，尤其是在支持USB On-The-Go（OTG）功能的设备中，作为电源方向切换和电流限制的关键组件。在LED驱动电路中，它可以作为恒流调节的开关元件，配合电感式升压或降压电路实现高效照明控制。由于其具备良好的ESD防护能力和可靠性，该器件还适用于对长期稳定性要求较高的嵌入式系统和物联网终端设备中的电源开关应用。

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　　 "DMG2305UX",
　　 "FDS6680A",
　　 "Si2301DS",
　　 "AO3400",
　　 "AP2301GNTR-G1"
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