时间：2025/10/7 9:23:32
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UPM2A391MHD是一款由Unipower（友台半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应的特点，适用于多种电源管理场景，特别是在空间受限且对热性能要求较高的应用中表现优异。其封装形式为DFN3x3-8L（双扁平无引脚封装），这种小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于便携式电子设备和高密度电源模块中。
UPM2A391MHD的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，确保在恶劣环境下的稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持绿色电子产品设计。由于其出色的电气特性和封装优势，UPM2A391MHD常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等电路中，作为核心开关元件发挥关键作用。此外，该MOSFET对栅极驱动电压敏感，推荐使用4.5V至10V之间的驱动信号以确保完全导通并降低导通损耗。
型号：UPM2A391MHD
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN3x3-8L
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)@25℃：18A
脉冲漏极电流(IDM)：72A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：4.5mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：6.2mΩ
阈值电压(Vth)：1.0V~2.0V
输入电容(Ciss)：1450pF
输出电容(Coss)：470pF
反向恢复时间(trr)：18ns
工作结温范围(Tj)：-55℃~+150℃
热阻结到外壳(RθJC)：2.5℃/W
热阻结到板(RθJB)：10℃/W
UPM2A391MHD采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中显著降低导通损耗，提高系统整体能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在相同电流条件下产生的热量更少，有助于简化热管理设计。同时，该器件在4.5V逻辑电平下仍能保持较低的6.2mΩ导通电阻，兼容常见的3.3V或5V驱动电路，无需额外升压即可实现高效控制，提升了系统集成度与设计灵活性。
该MOSFET具有优良的开关特性，输入电容为1450pF，输出电容为470pF，配合较小的栅极电荷（典型Qg约为25nC），可实现快速的开关速度，减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频DC-DC变换器应用，如同步降压或升压拓扑结构。其反向恢复时间仅18ns，体二极管的性能优于传统MOSFET，有效抑制了在桥式电路中可能出现的直通电流和电磁干扰问题，增强了系统的可靠性。
DFN3x3-8L封装采用底部散热焊盘设计，能够通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或地平面，实现高效的热耗散。相比传统SO-8封装，体积缩小超过50%，更适合高密度布局的现代电子产品，如智能手机、平板电脑、便携式充电器等。此外，该封装无引脚设计减少了寄生电感，有利于提升高频性能和抗噪声能力。
器件经过严格的质量测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压釜试验，确保长期使用的稳定性与耐久性。其宽泛的工作结温范围（-55℃~+150℃）使其可在极端温度环境下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用场景。综合来看，UPM2A391MHD凭借其低RDS(on)、高速开关、小型化封装和高可靠性，成为中低压功率开关领域的优选器件之一。
UPM2A391MHD广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器，尤其在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、笔记本电脑和平板设备的电源管理系统中，该器件常用于电池供电路径的负载开关或背光驱动电路，实现快速响应和低静态功耗。
此外，它也适用于电动工具、无人机和小型电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，提供快速开关能力和良好热性能。在LED照明驱动电源中，UPM2A391MHD可用于恒流控制回路中的主开关元件，支持PWM调光功能，并因其低导通电阻而减少发热，延长灯具寿命。
在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于充放电控制开关，配合保护IC实现过流、短路和过温保护。由于其支持高达18A的连续漏极电流，适合中小功率锂电池组的应用场景。同时，在USB PD快充适配器、无线充电发射端电源模块中，该器件作为同步整流管使用，有助于提升整体能效并满足高功率密度的设计需求。
SiSS116DN-T1-GE3
